Наименование, тип

Обозначение

Количество

Примечание

1 Вольтметр универсальный В7-72

УШЯИ.411182.026

1

2 Принадлежности:

-вилка

УШЯИ.685173.001

1

-втулка

УШЯИ.715161.004

4

-кабель "К-1"

УШЯИ.685611.099

2

-кабель "К-2"

УШЯИ.685611.220

4

-кабель измерительный

УШЯИ.685612.069

1

По отдельному

заказу

-кабель КОП

Тг4.854.130-03

1

-кабель RS-232

SCB 12 1,8 м

1

-насадка "004"

УШЯИ.301539.004-03

4

Черная

-насадка "004"

УШЯИ.301539.004-04

4

Красная

-насадка "009"

УШЯИ.301539.010-01

5

Черная

-насадка "009"

УШЯИ.301539.010-02

5

Красная

-перемычка

Тг7.755.147

3

-шнур сетевой

SCZ-1

1

3 Запасные части:

- вставка плавкая ВП1-1 2А

АГ0.481.303 ТУ

2

- вставка плавкая ВП2Б-1В 0,5 А 250 I

АГ0.481.304 ТУ

2

4 Руководство по эксплуатации

УШЯИ.411182.026 РЭ

1

5 Методика поверки

МП.МН      1221-20

(УШЯИ.411182. 026 МГ

1

6 Упаковка

УШЯИ.305641.039

1

Uk

Цена единицы младшего разряда

Пределы допускаемой основной абсолютной погрешности

200 мВ

0,1 мкВ

1 мкВ

±(0,004 % от U + 0,0005 % от Uk)

±(0,004 % от U + 0,001 % от Uk)

2В

1 мкВ

10 мкВ

±(0,004 % от U + 0,00015 % от Uk)

±(0,004 % от U + 0,001 % от Uk)

20 В

10 мкВ

100 мкВ

±(0,003 % от U + 0,00015 % от Uk)

±(0,003 % от U + 0,001 % от Uk)

200 В

100 мкВ

1 мкВ

±(0,004 % от U + 0,00015 % от Uk)

±(0,004 % от U + 0,001 % от Uk)

1000 В

1 мкВ

10 мкВ

±(0,004 % от U + 0,0003 % от Uk)

±(0,004 % от U + 0,002 % от Uk)

Примечание - В таблицах 1-5 и далее по тексту:

- U (I, R) - значение измеряемого напряжения (тока, сопротивления, частоты, периода);

-Uk (Ik, Rk) - конечное значение диапазона измерения.

- пределы допускаемой основной абсолютной погрешности приведены для формата индика ции 6,5 десятичных разрядов, в скобках - для формата индикации 5,5 десятичных разрядов.

Ik,

А

Значение     измерь

тока, А

Цена единицы младшего разряда, мкА

Пределы допускаемой основной погрешности

от 0,0002 до 1 включ.

1

±(0,025 % от I + 0,01% от 1к)

2

свыше 1 до 2 включ.

1

±(0,035 % от I + 0,005 % от 1к)

1к, А

Цена едини цы млад шего разряда, мкА

Пределы допускаемой основной абсолютной погрешности в диапазоне частот

от 20 до 60 Гц

от 60 Гц до 1 кГц

от 1 до 5 к кГц

2

1

±(0,4 % от I + 0,1 % от 1к)

±(0,15 % от I + 0,1 % от 1к)

±(0,4 % от I ± 0,15 % от 1к)

Uk, В

Цена единицы младшего разряда, мкВ

Пределы допускаемой основной абсолютной

погрешности в диапазоне часто от 10 до 20 Гц

т

от 20 до 60 Гц

200 мВ

0,1

±(1,0% от U ±0,1 %отИк)

±(0,4 % от U ± 0,1 % от Uk)

2

1

±(1,0 % от U + 0,05 % от Uk)

±(0,45 % от U ± 0,05 % от Uk)

20

10

±(1,0 % от U ± 0,05 % от Uk)

±(0,45 % от U ± 0,05 % от Uk)

200

100

±(1,0 % от U + 0,05 % от Uk)

±(0,55 % от U ± 0,05 % от Uk)

700

1мВ

±(1,0 % от U + 0,1 % от Uk)

±(0,5 % от U ± 0,1 % от Uk)

от 60 до 400 Гц

от 400 Гц до 10 кГц

200 мВ

0,1

±(1,0 % от U + 0,1 % от Uk)

±(0,1 % от U ± 0,05 % от Uk)

2

1

±(0,15 % от U + 0,05 % от Uk)

±(0,1 % от U ± 0,05 % от Uk)

20

10

±(0,2 % от U + 0,05 % от Uk)

±(0,1 % от U ± 0,05 % от Uk)

200

100

±(0,35 % от U + 0,05 % от Uk)

±(0,2 % от U ± 0,05 % от Uk)

700

1мВ

±(0,4 % от U + 0,1 % от Uk)

±(0,2 % от U + 0,1 % от Uk)

от 10 до 20 кГц

от 20 до 100 кГц

200 мВ

0,1

±(0,2 % от U ± 0,1 % от Uk)

±(0,6 % от U ± 0,2 % от Uk)

2

1

±(0,1 % от U ± 0,1 % от Uk)

±(0,4 % от U ± 0,2 % от Uk)

20

10

±(0,15 % от U ± 0,1 % от Uk)

±(0,4 % от U ± 0,2 % от Uk)

200

100

±(0,4 % от U + 0,1 % от Uk)

±(0,4 % от U + 0,2 % от Uk)

700

1мВ

±(0,3 % от U + 0,2 % от Uk)

±(0,6 % от U + 0,25 % от Uk)

от 100 до 300 кГц

от 300 кГц до 1 МГц

200 мВ

0,1

±(4,5 % от U ± 0,5 % от Uk)

±(8 % от U ± 2 % от Uk)

2

1

±(4,5 % от U + 0,5 % от Uk)

±(8 % от U + 2 % от Uk)

20

10

±(4,5 % от U + 0,5 % от Uk)

±(8 % от U + 2 % от Uk)

200

100

-

-

700

1мВ

-

-

Rk

Цена единицы младшего разряда

Пределы допускаемой основной погрешности

двухпроводная схема

четырехпроводная схема

200 Ом

0,1 мОм

(1 мОм)

±(0,0085 % от R + 0,0012 % от Rk) *= ±(0,0085 % от R ± 0,002 % от Rk)**

±(0,0085 % от R ± 0,0005 % от Rk) ** ±(0,0085 % от R + 0,001 % от Rk)**

2 кОм

1 мОм

(10 мОм)

±(0,0085% от R ± 0,00015)*

±( (0,0085% от R ± 0,001)**

20 кОм

10 мОм

(100 мОм)

200 кОг

100 мОм

(1 Ом)

2 МОм

1 Ом

(10 Ом)

±(0,023% от R ± 0,0002 % от Rk) * ±( (0,023% от R ± 0,0015 % от Rk)**

20 МОь

10 Ом

(100 Ом)

±(0,035% от R ± 0,0005 % от Rk) * ±(0,035% от R ± 0,0015 % от Rk)**

200 МС

100 Ом

±(R-5/20 + 0,00015 % от Rk)*

и

1 кОм

±(R-6/20 +0,0015 %otRk)**

2 ГОм

1 кОм

±(R-8/20 ± 0,00015 % от Rk)*

(10 кОм)

±(R-5/20 ± 0,0015 % от Rk)**