Паспорт «Схемы электрические принципиальные» (Код не указан!)

I

1 2

3

Вывод 18 ГЗ

Резистор EI2 в калиброванной точке, переключатель В2 в положении ВНУТР, пет.включатель BI в любом положении, кроме " 22.ОЩ1 '*

Вывод 22 ГЗ

-3

Тл «п             ---

Точка лзме-

I видя

Измеренное напряжение, В

Примечание

Резистор Е8

-(17,0-7,6)

Резистор R2S

17,0-7,8

Вывод 5 ФК

-6

Вывод 12 ФК

2,5-3,5

Вывод 17 ФК

-(4,5-5,5)

Вывод 23 ФФС

6

Течка

Измеренное

Примечание

измертшя

напряжение, В

1U5/I

0

UIS/3

13

1П6/3

-18

Ш7/1

18

Ш1С/1

15,5

Ш1С/3

0

ШГС/4

-15,5

Ш11/1

От 1,1 дс минус 1,1

Наименование

Номера обмоток

I

Экран

п

Ш

1У

У

ВЫБОД ПРОВОДОМ

МГТЛ-0,35 мм²

Номера выводов

1.2

3

4.5

6,7

11,12

15,16

Марка провода

ПЭТВ-939

жгат-0,05

ПЭТВ

939

ПЭТВ

939

Диаметр без изоляции, мм

0,56

0,05

0,18

0,18

0,85

1,32

Число витков в слое

82

1.0

224

224

52

34

Ширина слоя, мм

55

56

55

55

54

54

Число витков

856

1.2

1Г2

112

87

91

g Число слоев

II

1.2

I

I

2

3

Отвод от витков

-

-

—

—

—

Изоляция между слоями

Лейта 59x4600

Изоляция сверху обмотки

Лента 59x4600

Число выводов

2

I

2

2

2

2

Напряжение, В

220

-

28,7

28,7

22,3

23,4

Ток, А

0,5

-

0,054

0,054

1,43

3,14

Сопротивление, См

9,6

••

14,4

14,9

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

Примечание

I

2

3

4

RI

Резистор ППЗ-40 10 к0м+10 %

I

BI

Переключатель ПЩ4ПЗН-ВП-1

I

В2

Микропереключатель МП1-1

I

Д1

Светодиод ЗЛ1О2А

I

Д2

Светодиод ЗЛ102А

I

Лз1

Линия задержки 5.066.227

I

пи

Розетка приборно-кабельная

CP-50-I.TB

I

Ш2

Вилка 3.647.005

I

ШЗ

Контакт 6.633.097

I

Ш4, Ш5

Розетка 6.604.104-05

2

И6

Контакт 6.633.097

I

Ш7

Розетка 6.6O4.IO4-O5

I

D8

Розетка 6.604.101-06

I

Ш9

Контакт 6.633.097

I

Ы1

Блок питания 5.087.125

Резисторы:

I

C2-33H-0.I25-2.7 кОм^Б %-А-Д-В I

42

С2-ЗЗН-0,125-6,2 кСьн5 %-А-Д-В I

BI

Переключатель МТЗ

I

Кл1

Клеила 6.625.030

I

Ип1

«четчик ЭСВ-2,5-12,6-1

I

Пр1, Пр2

Вставка плавкая ВП1-1 2,0 А 250 В

2

TI...T3

Транзистор 2Т80ВА

3

Тр1

Трансформатор 4.702.231

I

□3

Вилка двухполюсная FVLI-I

I

04...ИВ

Розетка 6.6O4.IO4-O5

5

У1

Плата объединительная

6.692.759

Входит в HI

Ш1. Ш2

Розетка СНП37-24/57,5х10Р-19

2

У2

Стабилизатор 5.I23.ITI-0I

I

Входит в HI

I

2

1 ³

4

CI

Конденсаторы:

K50-24-63 В-220 ю<§£%

— гч« <»О П ППЛЛ .^^tSO <

I

9

П-44ПП мнФ

55

ОМДТ-0,125-22 кО**5 %

I

56

ОЫПТ-0.5-330 CHt5 %

I

57

0MHT-0.I25-I00 Сц*5 %

I

58

ОЫЛТ-0,125-300 СЩ5 %

I

59

ЖЫ,Т2Ъ-1Ь KQfe5 %

I

5Ю

C5-I6MB-2 Вт-0,91 0лн1 %

I

511*

СМЛТ-0.125-1,2 к0м_±5 %

I

*560 0м

512

ОиДТ-О.125-5,6 кОн5 %

I

513

СМИТ-0.5-3/3 кОн5 %

I

514

C2-29B-0.I25-7.5 xOMfO.25 %-1,0-Б

I

515

СП5-16ВВ-0,25 Вт-470 См±Ю $

I

516

С2-29В-0,125-16 к(М±0,25 % -

1.0-Б

I

5Г7

(ШТ-0,125-620 0ы+5 %

I

Д1...Д4

днод адсЕл

4

Д5...Д8

Диод гй202В

4

Д9

Стабилитрон Д814А

I

Д10, ДИ

Стабилитрон 2CI56A

2

Д12. Д13

Диод 2Д510А

2

Д14

Стабилитрон Д814А

I

да

Стабилитрон Д818Г

I

MCI

Микросхема 153УД2

I

Пр1

Вставка плавкая BHI-I 1,0 А 250 В

I

TI. Т2

Транзистор 2Т6С2Б

2

13

Транзистор 2Т312Б

I

Ш1

Вилка 7.103.923

I

УЗ

Стабилизатор 5.123.III

I

Входит в Ш

и

К5О-24-63 В-220 мкФ^О *

I

С2...С4

К5-24-63 В-2200 мкФ^ %

3

I

² 1

3

Конденсаторы:

CI

K5D-24-63 B-220

К50-24-63 В-2200 ык<гЖ t

KM-56-MI500-560 n$fIO %-B

I

C2, C3

2

С=4400 мкО

C5

I

06

KM-56-H9O-O.I5       £-B

I

07

K5O-24-25 B—470 мкФ^О *

I

Резисторы?

И

0МГГ-0,5-4,3 КСШ5 %

I

82

ОМЛТ-0,125-100 СЦ+5 %

I

55

OMIT-O,125-22 kCKh5 %

I

56

0ШТ-0,5-330 0^5 £

I

R7

0МЛТ-0.125-100 CHt5 %

I

58

0МЛТ-0,125-300 CMt5 %

I

59

0МП-0,125-16 KQ^t5 %

I

BIO

C5-I6MB-2 Вт-0,91 Ontl %

I

BII*

0МЛТ-0,125-1,2 K0Mt5 %

I

*560 Ом

512

ОМЛТ-О.125-5,6 кСЫ+5 %

I

BI3

OflIT-0.5-V3 kCm*5 %

I

BI4

C2-29B-0,I25-7,5 к0м*0,25 £-1,0-6

I

515

СП5-16НВ-0,25 Вт-470 Ом£К) %

I

BI6

C2-29B-0,125-16 к(Ц+0,25 % -

1,0-6

I

ВГ?

ОМГГ-0,125-620 ОЦ£5 %

I

Д1...Д4

Диод ЗД102А

4

Д5...Д8

Диод ЯД202В

4

Д9

Стабилитрон ДВ14А

I

Д10, ДП

Стабилитрон 2CI56A

2

Д12. Д13

Диод 2Б510А

2

Д14

Стабилитрон Д814А

I

Д15

Стабилитрон Д818Г

I

MCI

Микросхема 153УД2

I

Dpi

Вставка плавкая ВП1-1 1,0 А

250 В

I

TI, T2

Транзистор 2Т602Б

2

T3

Транзистор 2T3I26

I

Ш1

Вилка 7.103.923

I

УЗ

Стабилизатор 5.123.III

I

Входит в Ы1

CI

К5О-24-63 В-22- мкФ^С *

I

CS...C4

К5О-24-63 В-22С0 мкФ^ %

3

I

2

3

4

С5

Конденсаторы:

KM-50-MI500-560 пО*Ю %-В

KM-56-H9O-C.I5 мкФ^о *"^В

I

С6

I

С7

К50-24-25 В-470       %

I

И

Резисторы:

С2-ЗЗН-0,5-4,Зк_±5 %-А-Д-В

I

В2

С2-ЗЗН-0,125-30 0м±5 %-А-Д-В

I

КЗ, 14

C5-I6M В-I Вт-0.62 ОмЛ %

2

К5

С2-33 Н-0,125-22 кС<5 Я-А-Д-В

I

К

С2-ЗЗН-0,5-330 СЦ15 £-А-Л-В

I

R7

С2-ЗЗН-0.125-100 CW5 %-А-Д-В

I

58

С2-ЗЗН-0,125-300 0щ5 %-А-Д-В

I

59

С2-ЗЗН-0,125-16 г.СМ+5 %-А-Д-В

I

BIO

C5-I6MB-2 Вт-0.47 Ом*1 %

I

их*

С2-ЗЗН-0,125-1,2 кС^5 %-А-Д-В

I

^я560 Ом

И2

C2-33H-0.I25-5.6 к0м±5 %-А-Д-В

I

ИЗ

С2-ЗЗН-0,5-3,3 к0ц*5 %-А-Д-В

I

514

RI5

С2-29В-0,125-7,5 к0ц+0,25 %-

1,0-Б

СП5-16ВВ-0.25 Вт 470 CWvIO %

I I

BI6

ВГ7

С2-29В-0,125-16 к0щ0,25 %-

1,0-Б

С2-ЗЗН-0,125-020 Сы±5 J-A-Д-В

I I

Д1...Д4

Диод 2Д102А

4

Д5...ДВ

Диод 2Д2О2В

4

Д9

Стабилитрон ДВ14А

I

ДЮ. Д11

Стабилитрон 2CI56A

2

Д12, Д13

Диод 2Д510А

2

Д14

Стабилитрон ДВ14А

I

Д15

Стабилитрон Д818Г

I

MCI

Мик р<о схема 153УД2

I

Пр1

TI, Т2

Вставка плавкая ВЮ-1 2,0 А

250 В

Транзистор 2Т6С2Б

• 1

• 2

тз

Транзистор 2T3I2F

I

Ш1

Вилка 7.103.923

I

ДЮ

Делитель напряжения 5.172.256

I

HI

Резисторы:

02-10-0,25-820 Сш1 £-В

I

К. КЗ

С2-10-0,25-442 ОьнО.б %-В

2

I

2

³ 1

4

R4

02-10-0,25-226 C4t0,5 %-В

I

Кб

02-10-0,25-180 (М>0,5 %-В

I

В6

C2-IO-0,25-156 СЦ*0,5 %-В

I

57

C2-I0-0,25-142 0^0,5 %-В

I

88

C2-IO-O.25-I32 Сщ0,5 %-В

I

К9

02-10-0,25-124 0*10,5 %-В

I

KIO

02-10-0,25-120 СЩ0.5 %-В

I

КП

02-10-0,25-115 ОщО.б %-В

I

KI2

02-10-0,25-442 0*10,5 %-В

I

RI3

02-10-0,25-226 0*10,5 %-В

I

RI4

02-10-0,25-180 Он0,5 %-В

I

RI5

02-10-0,25-156 Otf+0,5 %-В

I

KI6

02-10-0,25-142 0*10.5 %-В

I

RI7

02-10-0,25-132 СЩ0,5 %-В

I

К18

02-10-0,25-124 0*10.5 %-В

I

RI9

02-10-0,25-120 СЬ*10,5 %-В

I

«20

С2-10-0,25-115 CMtO,5 %-В

I

R22

С2-10-0.25-П.8 См+0,5 %-В

I

«23

02-10-0,25-24,0 0щ0,5 %-В

I

«24

02-10-0,25-45,3 СМ±0,5 %-В

I

В25

02-10-0,25-68,1 OfcO.5 %-В

I

526

02-10-0,25-95,3 0щ0,5 %-В

I

R27

02-10-0,25-127 Он 0,5 %-В

I

R28

02-10-0,25-165 0*10,5 %-В

I

В29

C2-I0-0,25-218 Сы+0,5 %-В

I

530

02-10-0,25-287 Ом^О.б %-В

I

532

02-10-0,25-344 ОщО,5 %-В

I

533

02-10-0,25-442 См+0,5 %-В

I

R34

02-10-0,25-226 Сщ0.5 %-В

I

R35, 536

02-10-0,25-453 0щ0.5 %-В

2

537

02-10-0,25-365 0*10,5 %-В

I

R38

02-10-0,25-332 0щ0,5 %-В

I

539

02-10-0,25-237 ОнО.5 %-В

I

540

02-10-0,25-237 СМ10,5 %-В

I

R4I

02-10-0,25-180       %-В

I

542

02-10-0,25-164 СЦ+0,5 %-В

I

R43

C2-10-0,125-1,1 к0н1 %-В

I

BI

Переключатель 5.172.258

I

Д1. Д2

Диол 2E5IQA

2

I

2

3

4

Др1

Дроссель 5.ЙЙ119

I

Др2

Дроссель высокочастотный

ДМ-0,2-224 ыкГн+5 %-В

I

Ш1

Вилка 3.645.005

I

Ш2

Контакт 6.633.097

I

ШЗ

Вилка 3.645.005

I

ДН2

Делитель напряжения 5.172.259

Резисторы:

I

RI

ОМЛТ-О,125-4,99 к0н2 %

I

82

02-10-0,25-2,49 кСМ^О.б %-В

I

83

02-10-0,25-1,65 кСЦ*0,5 £-В

I

84

C2-I0-0.25-I.23 к0м_±0,5 %-В

I

85

02-10-0,25-965 СМ* 0,5 %-В

I

86

C2-I0-0,25-796 СЦ+5 %-В

I

R7

02-10-0,25-673 Сщ0,5 %-В

I

88

01-10-0,25-590 0м+0,5 %-В

I

89

02-10-0,25-517 OifcO.5 %-В

I

810

02-10-0,25-459 Ом*0,5 %-В

I

RI2

02-10-0,25-1.02 0ц>0,5 %-В

I

813

C2-I0-0,25-2.1 OfcD.5 %-В

I

RI4

02-10-0,25-3,16 0ц*0,5 %-В

I

RI5

02-10-0,25-4,22 0ц>0,5 %-В

I

RI6

02-10-0,25-5,36 0ме5 %-В

I

RI7

02-10-0,25-6,57 ОцГо.б %-В

I

ИВ

02-10-0,25-7,68 Ом* 0,5 %-В

I

КЕ9

02-10-0,25-8,98 0ц*0,5 %-В

I

R20

02-10-0,25-10,2 ОнО.5 %-В

I

821

02-10-0,25-11,5 Ом* 0,5 %-В

I

R22

ОИПТ-0,125-4,99 кО**2 %

I

823

02-10-0,25-2,49 к0ц*0,5 %-В

I

824

02-10-0,25-1,65 KOfcO.5 %-В

I

825

C2-I0-0,25-1.23 кСЦ*0,5 %-В

I

826

02-10-0,25-965 СщО.5 %-В

I

827

02-10-0,25-796 Он 0,5 %-В

I

828

C2-I0-0,25-673 0ц*0,5 %-В

I

R29

C2-I0-0.25-590 0ц*0,5 %-В

I

83(

02-10-0,25-517 ОнО,5 %-В

I

831

C2-ICML2M59 ОцьО.5 %-В

I

832

С2-1(У0?Т5® к0ц*1 %-В

I

X

²

3

4

BI

Переключатель 5.172.259

I

Др1

Лроссель высокочастотный

ДМ-0.2-224 ыкГн»5 %-В

I

Ш1

Розетка 3.647.008

I

Ш2

Розетка приборно-кабельная

СР-5О-272С

I

шз

Стырь 7.740.614-01

I

Др?-

УВУ

АроесСЛЬ 5Л77.119

Устройство выходное универ-

1

сальное 5.129.122

I

Конденсаторы:

CI. С2

KM-56-H90-0.I мк£|§ %-В

2

сз

КМ-56-М75СМ30 пФ+20 £-В

I

С4

KM-56-M75G-I000 пФ+20 &-В

I

C5...CIO

КМ-56-Н90-0.1 мкф^§ %-В

6

CII...CI2

KM-56-H9O-O.I мкФ*|Й%-В

КМ-56-Н 90-0,01 мк^

2

CI3...CI6

4

Резисторы:

51

СП5-16 ВА-0,25-100 0^10 %

I

52

ОМЛТ-0,125-82 OHtIO %

I

53

(ШТ-0,125-200 СЦ*Ю %

I

54, В5

СП5-16 ВА-0,25-100 (410 %

2

56

ОМЛТ-О,125-82 (410 %

I

57

(ШТ-0.125-200 СкгнЮ %

I

58. 59

СП5-16 ВА-0.25-100 СЩЮ 1

2

510

ОМЛТ-О,25-82 (410 %

I

5П

(ШТ-0.25-120 0^10 %

I

512

СП5-16 ВА-0,25-100 0ц+Ю %

I

ИЗ

СП5-16 ВА-0.25-22 ОщЮ %

I

514

ОМПТ-0,25-82 СЫ±Ю %

I

515

ОМЛТ-О.25-56 (410 %

I

И6

СП5-16ВА-0,25-100 C4I0 %

I

BI7

СП5-16ВА-0,25-10 0м±Ю %

I

BI8

ОМЛТ-О,25-91 (4.10 %

I

BI9

(ШТ-0.25-43 (410 %

I

521. В22

СП5-16ВА-0,25-22 (410 %

2

523

ОМЛТ-О.25-62 410 %

I

Н24

(ШТ-0.25-33 4Ю %

I

525. В26

СП5-16ВА-0,25-22 410 %

2

I

1 ² 1

3

ШЬ..ШЗ

Розетка 3.647.009

3

Ш4

Вилка 6.692.764

I

Ш5, Ш6

Вилка 6.692.764

2

Ш7, Е8

Штырь 7.740.614-01

2

Ш9, НПО

Вилка 6.692.764

2

ШИ

Штырь 7.740.614-01

I

УЗ

Устройство запуска 5.Г29.П8

I

Конденсаторы:

CI

K73-I6-63B-2.2 мкЬ.5 %

I

С2

K73-I6-63B-4-0.68 икФ±5 %

I

сз

K73-I6-IOO В-0,22 мкФ±5 %

I

С4

K73-I6-I60B-0,068 мкФ±5 %

I

С5

K73-I6-400 В-0,022 мк<&±5 %

I

С7...С9

КМ-56-Н9О-0Д       %-В

3

СЮ

К40У-9-20СВ-6800 пФ±Г. %

I

CI2

К40У-9-200В-2200 irt^IC %

I

ИЗ

КСОТ-2-500-Г-680±2 %

I

CI4 CI5

КС0Т-1-25О-Гг18Ск2 %

КТ-2-И75-Э»%Ф±К' %-3

I

ГОСТ 23385-78

Резисторы:

I

51. 52

СП5-16ВВ 680 СЦ±Ю %

2

вз

С2-ЗЗН-0,25-430 0м±5 %-А-Д-В

I

54

СП5-16ВВ 680 0ц±5 %

I

55

С2-ЗЗН-0,25-130 Оц±5 %-А-Д-В

I

56

СП5-16ВВ 680 0ы±10 %

I

57

С2-ЗЗН-0,125-750 Cta+IO jt-A-Д-В

I

че

СП5-16ВВ 100 См±10 %

I

59

СП5-16ВВ 680 Они %

I

510

CH5-I6BB 2,2 кОц+Ю %•

I

5п

С2-ЗЗН-0,125-750 0и±10 %-А-Д-В

I

512

ППЗ-4-1 330 CUC0 j

2.2 кОм.10 %

I

514

С2-ЗЗН-0,125-1,5 к0м±Ю %-А-Д-В

I

515

СП5-16ВВ 680 См±К? %

•I

516

СП5-16ВВ 2,2 х0м±10 %

I

517

СП5-16ВВ 680 0ц±Ю %

I

519

СП5-16ВВ 680 СЦ±10 %

I

520

C2-33R-0,125-22 к (>±10 %-А-Д-В

I

522

С2-ЗЗН-0,125-22 кСЫ+Ю %-А-Д-В

I

I

2

3

4

523

C2-33H-0.25-I кСм+IO 2-А-Д-В

I

524

C2-33H-0,25-430 0щ5 %-А-Д-В

I

526

C2-33H-0,125-750 OjhIO %-А-Л-В

I

527

СП5-16ВВ 680 Om+IO %

I

528. 529

СП5-16ВВ I kO.hIO %

2

530, 531

СП5-16ВВ 680 CM+JO %

2

533

C2-33H-0.125-3 кОмИО %-A4l-B

I

BI

Переключатель ПМЦ 12П5Н-ВП-!

I

B2

Переключатель IMl ЗП4Н-ВП-1

I

ГЗ

Генератор задающий 5.084.120

I

Макросеорка

m

Вилка 6.692.7'61

I

U12

Розетка 3.647.009

I

ШЗ. 134

Вилка 3.645.005

2

Ш5

Розетка приборно-кабельная

СР-50-1ПВ

I

L6

Штырь 7.740.614-01

I

TO. TO

Устройство длительности

5.129.119

2

Конденсаторы:

CI

ЮА-6А-К96-С.1 МКФ-В

I

C2

КД-1-Ы75-Ю пФ*5 %

I

C3

КС0Т-1-250-Г-56х2 %

I

C4

К(.*ОТ-1-25О-Г-24Си2 %

I

C5

К4СУ-9-20С1В-1000 П^.10 %

I

C6

К4СУ-9-20СВ-3300 пФ+10 %

I

C7

К4СУ-9-2ССВ-0,01 мкСнДО %

I

C8

К4СУ-9-2СОВ-О.СВЗ мк4±Ю %

I

C9

K73-I6a-63B-0,1 мкОдб %-В

I

CIC

К73-16а-6^В-0,33 мкФ* 5 %-В

I

СП

К73-16а-63В-1,0 мкФ* 5 S-B

I

CI2

К73-16а-63В—3,3 мкФд5 %

I

CI3

Ю<кба-Н90-0Д мгсТ-В

I

51

Резистор СП5-16ВВ-470 0t>+I0 '/■

I

52

СП5-16ВВ-100 (ХнЮ %

I

53

С2-ЗЗЯ-2-220 ОцДО %-А-Д-В

I

54

СП5-16ВВ-1 к0ц»10 5

I

55

C2-33H-0.25-I кОмдЮ %-А-Д-В

I

56.. .№

СП5-16ВВ-1 кО’.и 10 %

3

59

С2-ЗЗН-0,5-510 0м+10 %-А-Д-В

I

I

1 ²

³ 1 ⁴

Bio

СП5-16ВВ-1 кСцИО %

I

№

С2-ЗЗН-0,5-510 QtfxIO %-А-Д-В

I

пз.

514

СП5-16ВВ-1 кОм* II) %

2

515

C2-33H-0.25-I кО»*10 £-А-Д-В

I

И6.

..518

СП5-16ВВ-1 кСЦ*10 %

3

И9

С2-ЗЗН-0,125-15 к0м+5 %-А-Д-В

I

520.

521

СП5-I6BB-I к0м*10 %

2

522

С2-ЗЗН-0,25-51 ОинЮ fc-A-Д-В

I

523

СП5-16ВВ-1 кОшЮ %

I

524

ППЗ-44 3,3 кОм+Ю %

4.7 кОм*10 %

I

525

ОМЛТ-0,125—1,1 кОяк5 %

I

526

С2-ЗЗН-0,125-15 к0?м5 %-А-Д-В

I

527

С2-ЗЗН-Г¹,125-6,8 кСЬн5 %-А-Д-В

I

BI

Переключатель ПМЦ 12П5Н-ВП-1

I

Д1

Стабилитрон 2CI39A

I

Д2

Диод 2Д510А

I

дз.

Д4

Стабилитрон 2CI39A

2

Д5

Диод ЯИ510А

I

Др1

Дроссель высок.частотный

ДИ-0.1-120 мкГн+,5 %-В

I

ад

Формирователь длительности

5.084. П7

I       Мдкросборка

ни

Вилка 6.692.762

I

Ш2,

ШЗ

Розетка 3.647.009

2

04.

05

Вилка 3.645.005

2

ж-с

Устройство формирования

фронта, среза 5.129.12I

Конденсаторы:

CI

K73-I6-63B-C.68 м«Ф*10 %-Е

I

С2

K73-I6-I 60В-0,06? мкФ*ТО %-В

I

сз

К.М-5Б-И1500-62СО пМП $

I

С4..

.08

KM-56-H90-0.I мкф^п *

5

Резисторе:

51

ОШТ-0,25-240 Ом* 5 %

I

52

СП5-16ВВ 100 См* 10 %

I

53

ОМЛТ-0,25-1,5 кСМ*Ю %

I

54

ОМЛТ-0,25-100 Or^IO %

I -

55

СП5-16ВВ-100 См* 10 Я

I

I

2

3

4

Ц6

СМЛТ-0,25-30 Ом+10 %

I

5?

0W1T-0,25-20 0м_±5 %

I

дв

ППЗ-40-15 кСм+Ю £

I

R9...5I4

СП5-16ВВ 680 CiwtIO ?

6

Д15

ОИЛТ-0,25-510 См+10 %

I

RI6

СП5-16ВВ 2,2 kUmJO £

I

RI7

ОМЛТ-0,25-660 0ц*Ю Я

I

RI8...R20

СП5-16ВВ 680 Ou+IO %

3

R22...R24

СП5-16ВВ 680 OMtIO %

3

Д25

СП5-16ВВ 100 анЮ %

I

R26

ОМЛТ-О,25-30 Ом>Ю %

I

R27

ОИЛТ-0.25-20 0ц*5 %

I

R28

ППЗ-40 15 кОь$*Ю %

I

.429

ОМЛТ-С, 25-30 кОмЛО %

I

530

ОМЛТ-О,25-240 Ом+5 %

I

R32

СП5-16ПВ 100 0м±10 %

I

R33

(ШТ-0,25-1.5 кСМ^Ю %

I

R34

ит-п,2Ъ-тт Ом+Ю %

I

R35

ОМЛТ-О, 5-620 СЬн5 %

I

536

ОМЛТ-О, 5-390 См*5 %

I

R37

ОМЛТ-О,25-120 Ом* 5 %'

I

Р38

ОМЛТ-О.25-30 кОц+Ю %

I

540

ОМЛТ-О, 5-390 Ом+5 %

I

542

«АЛТ-0,25-206 0^5 %

I

543

0МПТ-0,25-1,2 кОй+5 %

I

R44

СП5-16ВВ 2,2 кОм* 10 %

I

R45

ОМЛТ-О,25-4.3 ка*5 %

I

546

СМЛТ-0,2 5-2,7 к0м+5 %

I

547

0ИЛТ-2-100 СЪн5 %

I

R48

ОМЛТ-О,25-1,1 KChfcb 1»

I

549

(ШТ-0,5-24 0».н5 %

I

552

ОМЛТ-О.25-75 0м*Ю %

I

R53

СШТ-2-200 Ом*5 %

I

555

СМЛТ-0,25-5,1 кОа*5 %

I

R58

ОМЛТ-О,25-750 См*5 £

I

559

СП5-16ВВ 2,2 кОц*Ю X

I

Д60

СМЛТ-0,25-4,3 кСМ*5 %

I

563

СМЛТ-0,5-330 0м*5 %

I

I

2

m

4

RM

СШТ-0,25-51 0M_±5 %

I

365

ОАЛТ-0,5-330 Om+5 %

I

R6‘.

(ШТ-0,25-51 0m±5 %

I

367

COT-0,25-510 0ж5 %

I

RC<

СМЛТ-О,5-360 Он5 %

I

369

СП4-1а-1 kOt^IC %

I

R7C

(ШТ-0,25-2,2 KCMtIO %         I

K7I

СП5-16ВВ-2.2 кОм+Ю %

I

R72

СП5-16ВВ-680 CH+IO %

I

BI

Переключатель П?Л1 I 2П4Н ВП-I I

Д2

Диод 2Ц5ЮА

I

Д4

Диод ЭД 51 ОД

I

Д6.. .ДВ

Диод ЭД510А

3

Д9

Стабилитрон 2CI68A

I

Д10

Диод ЭД510А

I

Д12

Стабилитрон 2CI47A

I

Д13

Стабилитрон Д814Б

I

PI...P6

Реле электромагнитное

РЗС 60

4.569.435-02.01

6

P7, P8

Реле электромагнитное

РЗС 60

4.569.435-02.01

2

TMI

Транзисторная матрица

2ТС622Г, I

TM2

Транзисторная матрица

IHT25IA I

TM3

Транзисторная матрица

2ТС622Б I

TM4

Транзисторная матрица

IHT25IA I

ФФС

Формирователь фронта,

среза

5.084. ПЭ

I

Микросборка

Ш1

Контакт 6.633.097

I

Ш2, ШЗ

Розетка 3.647.009

2

11'4

Вилка 6.692.763

I

Ш5. EJ6

Вилка 3.645.005

2

Позициои-ноо обозначение

Наименование

Количество

Примечание

I

2

3

4

CI...C4

Задающий генератор

Конденсаторы:

К10-17-1В-Н90-3300 пФ^20 %-1

4

C5...CI0

KIG-I7-IB-MI500-3600 пФ*20Х-6

6

CI2...CI5

KI0-I7-IB-H90-3300 пФ-1

4

CI6

К10-17-1В-М1500-3600 пФ_±2О^-6

I

CI7

KI0-I7-IB-H90-3300 пФ-1

I

CI8. CI9

KIQ-I7-IB-H90-3600 пФ+2С£-6

2

С20

KIQ-I7-IB-H90-3300 пФ-1

I

С22...С30

KI 0-17-1в-М1500-3600^,20 %-6

9

С32...С34

К10-17-1В-4П500-3600 пФ+20 %-6 3

С38...С40

KIO-17-Ib-MI500-3600 пФ^го %-6 3

044...047

KIO-17-Lb-MI500-3600 ПФ±2О Х-6 4

И

Резисторы:

1.5 кСЬ*2   100 мВт

I

«2

750 0м+2 %. 50 мВт

I

53

1.4 KCWt2 %, 140 мВт

I

54

400 0м±2 %. 40 мВт

I

55

1,2 кСЬн2 %, 120 мВт

I

56...59

30 0ьн2 %, 30 мВт

4

5Ю

25 0ц*2 %. 50 мВт

I

512

30 0^2 %. 30 мВт

I

513

240 Ckt5   120 мВт

I

514

620 0ц+2 %, 260 мВт

I

515

100 0ьн2 %, 180 мВт

I

516. 5Г7

2 кСм+2 %, 100 мВт

2

518

100 0&н2 %, 180 мВт

I

519

620 СЦ*2 %, 260 мВт

I

520

25 0м+2 %, 50 мВт

I

522

30 С*н2 %. 30 мВт

I

523

240 0Ht2 %, 120 мВт

I

ГС24...527

30 Он2 %. 30 мВт

4

I

2

3

4

528

1.4 KCUt2 I. I4C мВт

I

529

400 Он2 5t. 40 мВт

I

R30

1,2 кОл+2   I2C мВт

I

532.

.534

30 0ц+2   30 мВт

3

535

1,5 K0Mfc2 £. 100 мВт

I

536

750 0»н2    50 мВт

I

537

620 0м>2 %, 260 мВт

I

R38

510 0ц-2 %. 250 мВт

I

539

30 Он2 %. 30 мВт

I

540

38 CW-2 %, 380 мВт

I

R4I

12 Сы-2 %, 120 мВт

I

542

200 0»t2 %. 90 мВт

I

543

30 0ш2 %, 30 мВт

I

R44

2 кО.,+2 л. ICO мВт

I

545

30 0ml2 %. 30 мВт

I

546.

547

40 Ом-2 %, 40 мВт

2

548

820 СЩ2 %, 200 мВт

I

549

620 Ом+2 %. 62 мВт

I

550

30 Ом+2 %. 30 мВт

I

552

1,2 кОн.2 %, 120 мВт

I

553

2 кСЦ-2 %, 100 мВт

I

554

30 0^2 %, 30 мВт

I

555

40 Qtf+,2 %, 40 мВт

I

R56

200 0ц+2 %, 90 мВт

I

R57

40 0щ2 £, 40 мВт

I

558

200 Оц-2 %, 90 мВт

I

559

30 0м£2 %, 30 мВт

I

560

•

2 кОм+2 %. 100 мВт

I

562

30 Clu2 %. 30 мВт

I

563

2 кСЦ^2 ‘X. 100 мВт

I

564.

565

50 Оц-2 %. 50 мВт

2

566

620 О.н2 %_t 260 мВт

I

567

30 Он2 Я, 30 мВт

I

568.

50 0щ2   50 мВт

I

569.

570

2 кСц-2 %, 100 мВт

2

R72

2 кЩ+2 %. 100 мВт

I

573.

574

30 (W %, 30 мВт

2

575.

576

620 См+2 %, 260 мВт

2

577.

R78

30 Ом+2 %, 30 мВт

2

579.

580

2 к0м+2 %, 100 мВт

2

I

²

3

4

«82...«84

50 Сы+2 %, 50 мВт

3

«85

2 к(Хи2 %, 100 мВт

I

«86. 587

50 СХн2 %, 50 мВт

2

«88

30 0кн2 %, 30 мВт

I

«89

5IC 0М4.2    330 мВт

I

R00

30 См+2 %, 30 мВт

I

R92. «93

2 к0ц+2 %, 100 мВт

2

«94

30 (Лн2 %. 30 мВ?

I

«95...«98

50 0кн2 %. 50 мВт

4

«99

30 Он2 %, 30 мВт

I

«100

620 0щ2   260 мВт

I

«102

620 Ow.2 %. 260 мВт

I

«103... «106

30 0»>2 %. 30 мВт

4

«I07...RI09

2 кО^2 %, 100 мВт

3

«ПО

30 0мг2   30 мВт

I

RII2...RII4

30 Oxi.2 %, 30 мВт

3

«П5

50 0Mf2 %, 50 мВт

I

«116

500 Ощ2 %, 150 мВт

I

«П7

43G Ом+2    390 мВт

I

«118

500 0щ2 %. 150 мВт

I

«П9

510 0^2 %-_t 330 мВт

I

«120

500 Оц+2 %. 150 мВт

I

«121, «122

30 CMt2 %. 30 мВт

2

«123, «124

2 кСЬн2 %, 100 мВт

2

Д1, Д2

Варикап КВ122Б

2

ДЗ, Д4

Стабилитрон 2С143Д-1

2

Д5.. .Д10

Стабилитрон 2С13ЭД-1

6

Д12...Д1В

Стабилитрон 2С139Д-1

7

Д19...Д22

Стабилитрон 2С13ЭД-1

4

TI...TII

Транзистор 2Т640А

II

TI2...T20

Транзистор 2Т640А

9

Т22...Т30

Транзистор 2Т640А

9

Т32...Т37

Транзистор 2Т640А

Формирователь длительности

Конденсаторы:

6

CI...C4

KI0-I7-IB-MI500-3600 п«±20 %-6

4

С5

К10-17-1В-П90-3300 пФ£[

I

06. С7

KI0-I7-IB-MI503-3600 пФ>20 %-6

2

С8

KIO-I7-IB-H9G-3300 пФ-1

I

С9, CIO

К10-17-1В-М1500-3600 пФ_±20 %-6

2

Т--------[

2

3

СП

KIO-42-M47-IO пФ±0,5 пФ

I

CI2

К10-17-1В-Я90-3300 пФ-1

I

ИЗ

К10-17-IB-1500-3600 пФ>20 %-6

I

CI5...CI8

К10-17-ГВ-Я90-3300 пФ-1

4

CI9

К10-17-1В-М1500-3600 п«±20 %-6

I

C2I

KIO-42-M47-IO пЗа.0,5 пФ

I

С22. С23

К10-17-ГВ-4П500-3600 пФ*20 %-6

2

С24

К10-17-1В-а90-3300 пФ-1

I

С25

KI0-42-M47-5.I пФ*0,5 пФ

I

026

К10-17-16-Н90-0.01 мкФ-2

. I

Ы, 1*2

Инпуктввность 50 мкГп

2.767.047-02

Резжсторы:

2

51. К

51 Ом+5 %, 25 мВт

2

53, 54

2 кСЬ±5 %. 100 мВт

2

55

30 0^5   I мВт

I

56

620 CMt5 %. 250 мВт

I

57

30 Сщ5 %. I мВт

I

50, 59

40 СЩ5 %. 30 мВт

2

510

2 кСМ±5 %, 100 мВт

I

512

2 к0м+5 %, 100 мВт

I

513

30 0^5 %, I мВт

I

514

560 Ом* 5 %. 300 мВт

I

515

30 0щ5 %, I мВт

I

516, 517

40 0щ5 %. 30 мВт

2

518. 519

2 к0щ5 %, 100 мВт

2

520

56 СЩ5 %, I мВт

I

521

68 См*5 %, I мВт

I

522

400 0nt5 %, 425 мВт

I

523

56 СМ-х5 %, I мВт

I

524. 525

51 СЦ15 %, 20 мВт

2

526. 527

2 кСМ+5 %, 100 мВт

2

528

30 01^5 %. I мВт

I

529

620 Ом£б %, 250 мВт

I

530

30 Сц+5 %, I мВт

I

532

100 Оы+5 60 мВт

I

533

40 (Ьн5 %, 16 мВт

I

53*1

2 F.Cta*5 %, 5 мВт

I

535

24 СМ15 %, 10 мВт

I

536

500 Ом* 5 %, 50 мВт

I

i—1

2

3

R37

30 Ом+5 %, 3 мВт

I

538

30 Ол+5    I мВт

I

539

60 0м±5 %. I мВт

I

540

500 СМ±5   50 мВт

I

542

43 0м+5 %, 4 мВт

I

543

390 0щ5 %. 100 мВт

I

544

30 СЦ15 %, I мВт

I

545

51 Сы±5 %. I мВт

I

546

820 СШ5 %. 360 мВт

I

547, 548

51 0м±5 %, I мВт

2

549. 550

36 СКн5 %, 15 мВт

2

552. 553

2 кСЦ*5 %, 100 мВт

2

554

60 Он5 %, I мВт

I

555

620 0ц*5 %, 250 мВт

I

556

56 Ом+5 %, I мВт

I

557. 558

68 СЦ>5 %, I мВт Стабилитроны:

I

Д1...Д6

2С139Д-1

6

Д7

2С13ЗД-1

I

Д8

2С143Д-1

I

Д9. ДЮ

2С139Д-1

2

ДИ. Д12

2С143Д-1

2

Д13

Диод СВЧ 3A539A

I

TI...T9

Транзистор 2Т640А-2

9

ПО

Транзистор 2T3I23A-2

I

TI2

Транзистор 2T3I23A-2

I

TI3...TI6

Транзистор 2Т640А-2

Формирователь фронта, среза

Конденсаторы:

4

CI...C5

К10-17-1В-Я90-3300 пФ-1

5

С6

KIO-I7-B-MI500-6800 пФ* 20 %-6   I

C7...CI0

KI0-I7-IB-H90-330C пФ-1

4

CI2, CI3

KI0-I7-IB-H90

2

CI4. CI5

KIO-I7-IB-M47-20 пФ+5 %-1

2

CIG...CI8

КЮ-17-1в-Ы75-43 пФ* 5 %-2

3

CI9

KI0-I7-IB-M7 50-620 пФ* 5 %-3

I

С20

KI0-I7-IB-M75-5I п:_±5 %-2

I

С22

КЮ-17-1В-М75-51 пФ+5 %-2

I

С23...С25

KIC-I7-IB-H9O33C0 пФ-1

3

С26

KI0-I7-IB-H90-O.C47 мкФ-3

I

i—[

2

3

С27. С28

KIO-I7-IB-H90-330C пФ-1

2

С29

К10-Г7-1В-Н90-0.047 пФ-3

I

Ы

Катушка индуктивности

5.764.024

Резисторы:

I

И

1.8 кСм±5 %, 102 мВт

I

12

680 0ц>5 %, 250 мВт

I

13

1.8 к0щ5 %. 102 мВт

I

14. 15

51 0м*5 %, 35 мВт

2

16. 17

560 0bfc5 %, 20 мВт

2

56

51 OutlO %, I мВт

I

19

130 0Ht5 %. 120 мВт

I

510

51 ОщЮ %. I мВт

I

512. 513

18 0*н5 %. 16.2 мВт

2

114

560 0м*5 %,180 мВт

I

115...518

51 CHtIO 1, I «Вт

4

519, 120

430 0м+5 %. 97 мВт

2

522...525

68     %, 15,3 мВт

4

126

51 СЦ±10 %. I мВт

I

127

510 0ц±5 %. 115 мВт

I

528. 129

51 СМ±10 %, I мВт

2

130

510 Ом+5 %, 115 мВт

I

532

51 OHtIO %. I мВт

I

533. 534

100 0щ5 %, 40 мВт

2

135...138

36 0^5 %. 14.5 мВт

4

539

220 0mj5    88 мВт

I

540

30 СЦ+Ю %. I мВт

I

142...144

30 СЦ*Ю %. I мВт

3

545

120 0щ5 %. 48 мВт

I

546

300 0щ5 %, 120 мВт

I

547

I2C Cbtt5^, 48 мВт

I

148

300 Ом+5 %. 120 мВт

I

149

100 Ом 15 %. 10 мВт

I

152

300 0ьн5 %, 30 мВт

I

153

300 0^5 %, 188 мВт

I

154

100 C*fc5 %. 10 мВт

I

155

300 0м>5 %, 188 мВт

I

156

360 0ц+5 %. 225 мВт

I

157. 158

100 Ом*. 5 Я. I мВт

2

159

300 ОЦ£5 %, 30 мВт

I

I

2

3

В60

1,8 кСХн.5 %, 180 мВт

I

561, В62

120 0м_±5 %. 75 мВт

2

R63

ОЫЛТ-0,125-51 OujflO %

I

Н64

СИЛТ-О;. 125-24 кСМ+10 %

I

R65

120 0ж5 %, 4G мВт

I

566

IX 0м>5 %, 65 мВт

I

567, 568

51 ChnlO %, I мВт

2

569

1,5 кСм+10 %, 140 мВт

I

570

100 0м±55 %. 40 мВт

I

572 . 573

I кСм+2 л, 200 мВт

2

Д1. Д2

Стабилитрон 2С139Д-1

2

ДЗ...Л8

Стабилитрон 2С14ЗД-1

6

Д9, ДЮ

Диод 2A5I7A

2

III. Д12

Диод 2A5I7A

2

Д13

Стабилитрон 2С13ЦД-1

Транзистор:

I

TI...TIO

2Т640А-2

10

TI2, ПЗ

2Т64СА-2

2

TI4, TI5

2T3I23A-2

2

TI6. TI7

2Т640А-2

2

TIB...T2C

2T3I23A-2

3

Т22, Т23

2Т640А-2

2

Р

Контакт мат'нитоутгранляемнй

МК-10-0

Универсальный усилитель

Конденсатор:

I

CI. С2

KI0-I7-IB-M75-200 пФИО %-3

2

СЗ. С4

КЮ-Г7-1В-Н90-ЗЗСО пФ-1

2

С5. С6

КЮ-17-1В-Я9С-0.С1 мк<1-2

2

07. С8

К10-17-1в-М75-200 еФ^Ю %-3

2

С9. СЮ

KI0-I7-IB-H9G-0.0I мкФ-2

2

СП. CI2

К10-17-1В-М75-200 пФ±10 %-3

2

CI3. CI4

KI0-I7-IB-H9O-33CC пФ-1

2

CI5. CI6

KI0-I7-IB-M75-2O3 пФ+IC %-3

2

CI7, С18

К10-17-1В-Ы75-200 пФ+JO %-3

2

CI9

KI0-I7-IB-M75-33 пФ+10 £-1

I

С20. C2I

КЮ-Г7-1В-М75-200 1йч_10 ‘-S-3

2

С22. С23

KIO-I7-IB-H9C-33O0 пФ-1

2

С24

КМ-5б-Н30-0‘,01 мкФ^оо *

I

С25

К<£-5б-М47-36 Ш±1С %

I

I

2

3

С26*. С27»

КД-1-М75-15 п4±Ю % Резисторе

2

81. 82

51 Он2 л, 40 мВт

2

83

ИО Ohtt2   40 мВт

I

84, 85

1,5 кСМ+5 %, 45 мВт

2

86, 87

43 Ощ2 %, 43 мВт

2

88, 89

ИО     %. 40 мВт

2

810

43 СЬн2 %, 10 мВт

I

812

43 0м>2 %, IC мВт

I

813, 814

51 0м+2 %, 30 мВт

2

815

ПО С^2 %, 40 мВт

I

816. 8Г7

1,5 к0ц±5 %, 45 мВт

2

818

40 СЦь2 %. 75 мВт

I

819. 820

30 Сы+2 2, 30 мВт

2

821, 822

39.2 0ц>2 %, 64 мВт

2

823

50 0ц>2 X. 40 мВт

I

824. 825

1.2 кОм+5 %. 83 мВт

2

826

30 &4±2 %. 37 мВт

I

827, 828

28 Ом+2    30 мВт

2

829, НЗО

60 0щ2 %. 220 мВт

2

831

40 Ом±2 %, 145 мВт

I

832, 833

1,2 кСц+5 %, 83 мВт

2

834

15 Omi2 %. 170 мВт

I

835, 836

25 СМ12 %. I8C мВт

2

837

27 0hfc2 %, 180 мВт

I

839

27 Оц+2 %, 180 мВт

I

84C

39,4 ta±2 %, 250 мВт

I

841. 842

1.2 к(>+5 %, 83 мВт

2

R43

15 СШ.2 %, 126 мВт

I

844, 845

22,5 Оц>2 %, 136 мВт

2

846

24,8 0ьн2 %. 300 мВт

I

847

150 OHtIO %. 10 мВт

I

848

24,8 Ощ2   300 мВт

I

849

23.6 (*±2 %. 285 мВт

I

851. 852

1,2 кОм+5 %. 83 мВт

2

853

10 0щ2 %, 212 мВт

I

85-1. 855

12,7 0ьн2 л, I7C мВт

2

856. 857

20 ОмНО %, 340 мВт

2

859

25 СЦ£2 %. 330 мВт

I

X          [

2

3

4

Д60. R6I

С2-ЗЗН-О,125-30 (Ьн5 %-А-Д-В

2

S62-

С2-ЗЗН-0.125-150 См±5 %-А-Д-В

I

*130.180 Ом

RG3*

С2-ЗЗВ-0,125-200 СМ±5 %-А-Д-В

I

*180, 220 Ом

Д1. Д2

Стабилитрон 2СГ752

2

Д5.. .Д0

Диод СВЧ 2A5I7A-2

4

Д9, ДЮ

Стабилитрон 2CI75K

2 .

Д13, Д14

Диод СВЧ 2A5I7A-2

2

Д15...Д16

Стабилитрон 2CI75Z

2

Д19. Д20

ДИОД СВЧ 2A5I7A-2

2

Д21, Д22

Стабилитрон 2CI75Z

2

Д25, Д26

Диод СВЧ 2A5I7A-2

2

Д27, Д28

Стабилитрон 2CI75Z

2

Д32, ДЗЗ

Диод СВЧ 2A5I7A-2

2

Д34. Д35

Стабилитрон 2CI82Z

2

Д38, Д39

Диод СВЧ 2A5I7A-2

2

TI...T4

Транзистор 2Т640А-2

4

Т5, Тб

Транзистор 2Т640А-2

2

Т7, те T9, ПО.

Транзистор 2Т647А-2

2

TI2, TI3

Транзистор 2TG47A-2

4

ТТ4, TI5

Транзистор 2Т643А-2

2