Номер по Госреестру СИ: 44976-10
44976-10 Микроскоп электронно-ионный растровый
(Quanta 200 3D)
Назначение средства измерений:
Микроскоп электронно-ионный растровый Quanta 200 3D (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Микроскоп может применяться при проведения научных и прикладных исследований твердотельных образцов, включая наноструктурированные материалы и нанообъекты, в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии, а также в лабораториях промышленных предприятий, научно-исследовательских и учебных организаций.
Изготовитель
фирма «FEI Company», США.Адрес: 5350 NE Dawson Creek Drive, Hillsboro, Oregon 97124, USA.
Микроскоп представляет собой стационарную автоматизированную измерительную систему, выполненную на базе растрового электронного микроскопа и работающую в диапазоне микро- и наноразмеров.
Микроскоп состоит из электронно-оптической системы (колонны), ионной колонны с таллиевым жидкометаллическим источником ионов, камеры образцов с механизмом их перемещения, детектора вторичных электронов, вакуумной системы, видеоконтрольного устройства, блока электроники.
Вакуумная система включает в себя турбомолекулярный и форвакуумный насосы для откачки рабочей камеры микроскопа и гетероионный насос для обеспечения вакуума в области ионной пушки.
Принцип получения изображения в микроскопе заключается в модуляции яркости монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа.
Наличие сфокусированного ионного зонда позволяет производить локальное контролируемое травление образца ионным пучком, при этом режимы травления регулируются изменением ускоряющего напряжения и тока ионного пучка. Контроль параметров рельефа, модифицированного в результате ионного травления (измерение линейных размеров) осуществляется в режиме растрового электронного микроскопа.
Параметры |
Значение |
Диапазон измерений линейных, размеров элементов топологии, мкм |
от 0,05 до 1000 |
Пределы допускаемой относительной погрешности измерений линейных размеров элементов топологии:
|
±12 ±5 |
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 30 кВ, нм, не более |
32 |
Источник электронов |
Вольфрамовый катод |
Источник ионов |
Жидкометаллический галлиевый |
Разрешение при ускоряющем напряжении 30 кВ, нм |
3 |
Напряжение питания переменного тока, В |
220 -15% |
Потребляемая мощность, кВт, не более |
4,7 |
Масса, кг |
1000 |
Габаритные размеры (длина х ширина х высота), мм |
2820х1350х1800 |
Рабочие условия эксплуатации:
|
20±3 95 |