Принцип получения изображения в микроскопе заключается в модуляции яркости монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа.

Микроскоп представляет собой стационарную автоматизированную измерительную систему, выполненную на базе растрового электронного микроскопа и работающую в диапазоне микро- и наноразмеров.

Микроскоп состоит из электронно-оптической системы (колонны), ионной колонны с галлиевым жидкометаллическим источником ионов с высокой плотностью тока, камеры образцов с механизмом их перемещения и наклона, детектора вторичных электронов, вакуумной системы, видеоконтрольного устройства, блока электроники.

Применяемая аналитическая двулучевая технология сверхвысокого разрешения обеспечивает проведение двухмерного и трехмерного анализа широкого диапазона образцов, включая магнитные материалы.

Технология внутрилинзового детектирования позволяет формировать максимальный объем данных в условиях высокой контрастности за счет одновременного сбора всех поступаемых сигналов энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Наличие подлинзового концентрического детектора обратноотраженных электронов делает возможным выбор сигнала с учетом его углового распределения и тем самым упрощает разделение материалов и топографической контрастности даже при контактной энергии порядка 20 эВ.

Конструкция колонны на основе автоэмиссионной пушки Шоттки, предусматривает полностью автоматизированную регулировку положения и оптимизированную конструкцию пушки с полевой эмиссией, что позволяет обходиться без механической регулировки положения, включает автоматизированные нагреваемые апертуры, непрерывное регулирование тока пучка, двухступенчатое обнаружение при сканировании и линзу с двойным объективом, сочетающую электромагнитные и электростатические линзы.

Наличие ионной колонны с высокой плотностью тока пучка и возможностью очистки образца с низкой энергией ионов позволяет оперативно производить подготовку образцов путем локального контролируемого травления поверхности ионным пучком. Режимы травления регулируются изменением ускоряющего напряжения и тока ионного пучка. Контроль параметров рельефа (измерение линейных размеров), его модификации в результате ионного травления осуществляется в режиме растрового электронного микроскопа посредством интегрированного 16-битного приложения для формирования изображения и управления зондом.

Пломбирование микроскопа не предусмотрено. Общий вид микроскопа и место нанесения знака поверки приведены на рисунке 1.

Место нанесения знака поверки

Рисунок 1 - Общий вид микроскопа электронно-ионного растрового Scios

Таблица 4. -

Таблица 2 - Метрологические характеристики

Таблица 3 - Основные технические характеристики