Номер по Госреестру СО: ГСО 9983-2011
СО СВОЙСТВ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР (СО ГЭС КРТ)
СО представляет собой гетероэпитаксиальную структуру кадмий-ртуть-теллур на монокристаллической подложке диаметром 50.8 мм из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (013). Рабочая площадь структуры составляет 17 см2. Комплект поставки: СО в пластмассовой коробке с этикеткой, паспорт.
СРОК ГОДНОСТИ: периодичность контроля один раз в 6 месяцев
СРОК СВИДЕТЕЛЬСТВА: 08.11.2016
НОМЕР ЗАПИСИ: 1219
ДАТА ОПУБЛИКОВАНИЯ: 18.05.2018
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: ФГУП "НПО "Орион"
СТРАНА: Россия
НАИМЕНОВАНИЕ АТТЕСТОВАННОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
- шероховатость рабочей поверхности, нм; плоскостность рабочей поверхности, мкмСПОСОБ УСТАНОВЛЕНИЯ АТТЕСТОВАННОГО ЗНАЧЕНИЯ
- Применение аттестованных методик измеренийНазначение стандартного образца
для аттестации методик измерений свойств гетероэпитаксиальной структуры полупроводникового твердого раствора кадмий-ртуть-теллур, контроля точности методик измерений в соответствии с установленными в них алгоритмами, могут применяться для поверки, калибровки средств измерений при соответствии метрологических характеристик СО требованиям метрологического контроля.Описание стандартного образца
Стандартный образец представляет собой гетероэпитаксиальную структуру кадмий-ртуть-теллур на монокристаллической подложке диаметром 50,8 мм из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (013). Рабочая площадь структуры составляет 17 см2.Комплект поставки: СО в пластмассовой коробке с этикеткой, паспорт.
Знак утверждения типа
Место и способ нанесения знака утверждения типа на сопроводительные документы стандартного образца: полиграфическим способом в правом верхнем углу первого листа паспорта и в правом верхнем углу этикетки СО утвержденного типа. ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ:- электрофизические параметры и состав фоточувствительного слоя КРТ СО, приведены в таблице 2.
Т а б л и ц а 2 - Электрофизические параметры и состав фоточувствительного слоя КРТ СО
|
Марка структуры |
Состав фоточувствите-льного слоя КРТ, молярная доля |
Электрофизические параметры при температуре (80±2) К |
Толщина фоточувстви-тельного слоя КРТ, мкм | ||
|
Концентрация основных носителей заряда, см-3 |
Подвижность основных носителей заряда, см2/В-с |
Время жизни неравновесных носителей заряда, нс | |||
|
Д2 |
0,225 ± 0,0035 |
6,9 х 10 15 |
573 |
10 |
8,3 |
Приложение к свидетельству № 2300 об утверждении типа стандартных образцов (обязательное)
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ:- гетероэпитаксиальная структура кадмий-ртуть-теллур выращена на монокристаллической подложке из арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Комплектность стандартного образца
Документы, устанавливающие требования к стандартному образцу
Метрологические характеристики
Аттестуемые характеристики - шероховатость рабочей поверхности, нм; плоскостность рабочей поверхности, мкм; границы допускаемых значений абсолютной погрешности СО при Р=0,95.
Т а б л и ц а 1 - Нормированные метрологические характеристики
|
Аттестованная характеристика |
Обозначение единицы величины |
Интервал допускаемых аттестованных значений СО |
Границы допускаемых значений абсолютной погрешности СО, (Р=0,95) |
|
Шероховатость рабочей поверхности |
нм |
От 5 до 10 |
± 5 |
|
Плоскостность рабочей поверхности |
мкм |
От 3 до 14 |
± 3 |
Место и способ нанесения знака утверждения типа на сопроводительные документы стандартного образца: полиграфическим способом в правом верхнем углу первого листа паспорта и в правом верхнем углу этикетки СО утвержденного типа.
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ:- электрофизические параметры и состав фоточувствительного слоя КРТ СО, приведены в таблице 2.
Т а б л и ц а 2 - Электрофизические параметры и состав фоточувствительного слоя КРТ СО
|
Марка структуры |
Состав фоточувствите-льного слоя КРТ, молярная доля |
Электрофизические параметры при температуре (80±2) К |
Толщина фоточувстви-тельного слоя КРТ, мкм | ||
|
Концентрация основных носителей заряда, см-3 |
Подвижность основных носителей заряда, см2/В-с |
Время жизни неравновесных носителей заряда, нс | |||
|
Д2 |
0,225 ± 0,0035 |
6,9 х 10 15 |
573 |
10 |
8,3 |
Приложение к свидетельству № 2300 об утверждении типа стандартных образцов (обязательное)
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ:- гетероэпитаксиальная структура кадмий-ртуть-теллур выращена на монокристаллической подложке из арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
РАЗРАБОТЧИК: ФГУП «НПО «Орион», 111123, г. Москва, Ш. Энтузиастов, д.46/2.
ИЗГОТОВИТЕЛЬ: ФГУП «НПО «Орион», 111123, г. Москва, Ш. Энтузиастов, д.46/2.
Заместитель Руководителя Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии ______________ Е.Р.Петросянподпись расшифровка подписи
М.П. «___»______________2011 г.Статистика
Кол-во поверок -
Кол-во поверок (подведы РСТ) -
Кол-во поверок (неподведы РСТ) -
Кол-во поверок (гос. организации) -
Кол-во поверок (чвстники) -
Кол-во владельцев - 0
Все стандартные образцы ФГУП "НПО "Орион"
| Номер в реестре | Наименование СО | Статус |
|---|---|---|
| ГСО 9984-2011 | СО СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ (СО ГМФ-Э1) | Срок действия истек |
| ГСО 9983-2011 | СО СВОЙСТВ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР (СО ГЭС КРТ) | Срок действия истек |
Владельцы ГСО 9983-2011 СО СВОЙСТВ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР (СО ГЭС КРТ)
| Организация | Кол-во поверок |
|---|
Лист № 1
всего листов 3
Приложение к свидетельству № 2300 об утверждении типа стандартных образцов
(обязательное)
ОПИСАНИЕ ТИПА СТАНДАРТНОГО ОБРАЗЦА
УТВЕРЖДЕННОГО ТИПА СТАНДАРТНЫЙ ОБРАЗЕЦ СВОЙСТВ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР (СО ГЭС КРТ)
ГСО 9983-2011
ДОКУМЕНТЫ, устанавливающие требования к метрологическим и техническим характеристикам и выпуску из производства:- техническое задание на разработку стандартного образца свойств гетероэпитаксиальной структуры полупроводникового твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (СО ГЭС КРТ), утвержденное 09.2011 г.
- программа испытаний стандартного образца свойств гетероэпитаксиальной структуры полупроводникового твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (СО ГЭС КРТ) в целях утверждения типа, утвержденная 09.2011 г.
- программа испытаний стандартного образца свойств гетероэпитаксиальной структуры полупроводникового твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (СО ГЭС КРТ) серийного выпуска, утвержденная 09.2011 г.
Периодичность актуализации технической документации на тип стандартного образца не реже одного раза в пять лет.
ФОРМА ВЫПУСКА: серийное производство периодически повторяющимися партиями.
НОМЕР ЭКЗЕМПЛЯРА (ПАРТИИ), ДАТА ВЫПУСКА: партия № 1, дата выпуска -октябрь 2011 г.
НАЗНАЧЕНИЕ: для аттестации методик измерений свойств гетероэпитаксиальной структуры полупроводникового твердого раствора кадмий-ртуть-теллур, контроля точности методик измерений в соответствии с установленными в них алгоритмами, могут применяться для поверки, калибровки средств измерений при соответствии метрологических характеристик СО требованиям метрологического контроля.
СФЕРА ПРИМЕНЕНИЯ:- сфера государственного регулирования: осуществление мероприятий государственного контроля (надзора);
- область применения: научные исследования, наноиндустрия.
ДОКУМЕНТЫ, определяющие применение:- на методы измерений: методики измерений свойств гетероэпитаксиальной структуры полупроводникового твердого раствора кадмий-ртуть-теллур.
-на методы метрологической аттестации методики измерений:- ГОСТ Р 8.563-2009 «ГСИ. Методики (методы) измерений»;
- ГОСТ Р ИСО 5725-1-2002 «Точность (правильность и прецизионность) методов и результатов измерений. Часть 1. Основные положения и определения»;
Приложение к свидетельству № 2300 об утверждении типа стандартных образцов (обязательное)
- ГОСТ Р ИСО 5725-2-2002 «Точность (правильность и прецизионность) методов и результатов измерений. Часть 2. Основной метод определения повторяемости и воспроизводимости стандартного метода измерений»;
- ГОСТ Р ИСО 5725-3-2002 «Точность (правильность и прецизионность) методов и результатов измерений. Часть 3. Промежуточные показатели прецизионности стандартного метода измерений»;
- ГОСТ Р ИСО 5725-4-2002 «Точность (правильность и прецизионность) методов и результатов измерений. Часть 4.Основные методы определения правильности стандартного метода измерений»;
- на методы контроля погрешностей методики измерений: ГОСТ Р ИСО 5725-6-2002 «Точность (правильность и прецизионность) методов и результатов измерений. Часть 6. Использование значений точности на практике».
ОПИСАНИЕ: Стандартный образец представляет собой гетероэпитаксиальную структуру кадмий-ртуть-теллур на монокристаллической подложке диаметром 50,8 мм из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (013). Рабочая площадь структуры составляет 17 см2.
Комплект поставки: СО в пластмассовой коробке с этикеткой, паспорт.
НОРМИРОВАННЫЕ МЕТРОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:Аттестуемые характеристики - шероховатость рабочей поверхности, нм; плоскостность рабочей поверхности, мкм; границы допускаемых значений абсолютной погрешности СО при Р=0,95.
Т а б л и ц а 1 - Нормированные метрологические характеристики
|
Аттестованная характеристика |
Обозначение единицы величины |
Интервал допускаемых аттестованных значений СО |
Границы допускаемых значений абсолютной погрешности СО, (Р=0,95) |
|
Шероховатость рабочей поверхности |
нм |
От 5 до 10 |
± 5 |
|
Плоскостность рабочей поверхности |
мкм |
От 3 до 14 |
± 3 |
Место и способ нанесения знака утверждения типа на сопроводительные документы стандартного образца: полиграфическим способом в правом верхнем углу первого листа паспорта и в правом верхнем углу этикетки СО утвержденного типа.
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ:- электрофизические параметры и состав фоточувствительного слоя КРТ СО, приведены в таблице 2.
Т а б л и ц а 2 - Электрофизические параметры и состав фоточувствительного слоя КРТ СО
|
Марка структуры |
Состав фоточувствите-льного слоя КРТ, молярная доля |
Электрофизические параметры при температуре (80±2) К |
Толщина фоточувстви-тельного слоя КРТ, мкм | ||
|
Концентрация основных носителей заряда, см-3 |
Подвижность основных носителей заряда, см2/В-с |
Время жизни неравновесных носителей заряда, нс | |||
|
Д2 |
0,225 ± 0,0035 |
6,9 х 10 15 |
573 |
10 |
8,3 |
Приложение к свидетельству № 2300 об утверждении типа стандартных образцов (обязательное)
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ:- гетероэпитаксиальная структура кадмий-ртуть-теллур выращена на монокристаллической подложке из арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
РАЗРАБОТЧИК: ФГУП «НПО «Орион», 111123, г. Москва, Ш. Энтузиастов, д.46/2.
ИЗГОТОВИТЕЛЬ: ФГУП «НПО «Орион», 111123, г. Москва, Ш. Энтузиастов, д.46/2.
Заместитель Руководителя Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии ______________ Е.Р.Петросянподпись расшифровка подписи
М.П. «___»______________2011 г.