Номер по Госреестру СО: ГСО 10032-2011
СО ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ОСАГА-100
СО представляет собой подложку из арсенида галлия с нанесенной на одну из сторон эпитаксиальной гетероструктурой, состоящей из слоев AlxGa1-xAs толщиной ~50 нм и GaAs толщиной ~ 50 нм. Общее число групп слоев - 12. На обратной стороне СО нанесена маркировка "ОСАГА-100", внутренний номер серии (для рекламаций производителю), номер партии и номер экземпляра внутри партии. Габаритные размеры СО - 17.0х17.0х0.4 мм3 с допуском в каждом измерении не более 0.1 мм. СО помещен в герметичный контейнер со специальным клейким слоем Gel-Pack. На лицевой и оборотной стороне контейнера расположена этикетка.
СРОК ГОДНОСТИ: 2 года
СРОК СВИДЕТЕЛЬСТВА: 16.12.2016
НОМЕР ЗАПИСИ: 1334
ДАТА ОПУБЛИКОВАНИЯ: 18.05.2018
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: МФТИ
СТРАНА: Россия
НАИМЕНОВАНИЕ АТТЕСТОВАННОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
- средняя толщина слоя AlxGa1-xAs, нм; средняя толщина слоя GaAs, нм; межслоевой период повторения слоев, нмСПОСОБ УСТАНОВЛЕНИЯ АТТЕСТОВАННОГО ЗНАЧЕНИЯ
- Применение аттестованных методик измеренийОписание стандартного образца
Стандартный образец представляет собой подложку из арсенида галлия с нанесенной на одну из сторон эпитаксиальной гетероструктурой, состоящей из слоев AlxGa1-xAs толщиной ~50 нм и GaAs толщиной ~50 нм. Общее число групп слоев - 12. На обратной стороне стандартного образца нанесена маркировка «ОСАГА-100», внутренний номер серии (для рекламаций производителю), номер партии и номер экземпляра внутри партии.
Габаритные размеры стандартного образца - 17,0x17,0x0,4 мм3 с допуском в каждом измерении не более 0,1 мм.
Стандартный образец помещен в герметичный контейнер со специальным клейким слоем Gel-Pack. На лицевой и оборотной стороне контейнера расположена этикетка.
Знак утверждения типа
Место и способ нанесения знака утверждения типа на сопроводительные документы стандартного образца: печатным способом в правом верхнем углу первого листа паспорта и этикетки стандартного образца утвержденного типа.
Комплектность стандартного образца
Документы, устанавливающие требования к стандартному образцу
Метрологические характеристики
Аттестуемые характеристики:
-
1) средняя толщина слоев AlxGai-xAs в гетероструктуре, выраженная в нанометрах;
-
2) средняя толщина слоев GaAs в гетероструктуре, выраженная в нанометрах;
-
3) межслоевой период повторения слоев, выраженный в нанометрах.
Таблица 1 - Нормированные метрологические характеристики
|
№ п/п |
Наименование аттестуемой характеристики |
Единица измерения |
Диапазон допускаемых аттестованных значений |
Расширенная неопределенность при Р=0,95, (k=2) |
|
1 |
Средняя толщина слоя AlxGa1-xAs |
нм |
45^55 |
1,2 |
|
2 |
Средняя толщина слоя GaAs |
нм |
45^55 |
1,2 |
|
3 |
Межслоевой период повторения слоев |
нм |
90^110 |
2 |
Место и способ нанесения знака утверждения типа на сопроводительные документы стандартного образца: печатным способом в правом верхнем углу первого листа паспорта и этикетки стандартного образца утвержденного типа.
РАЗРАБОТЧИК: - Федеральное государственное автономное образовательное
учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» (МФТИ).
141700, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский переулок, 9.
Приложение к свидетельству № 2399 Лист № 3
об утверждении типа стандартных образцов всего листов 3
(обязательное)
|
ИЗГОТОВИТЕЛЬ: |
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» (МФТИ). 141700, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский переулок, 9. |
подпись расшифровка подписи
М.П. «___»______________2011 г.Статистика
Кол-во поверок -
Кол-во поверок (подведы РСТ) -
Кол-во поверок (неподведы РСТ) -
Кол-во поверок (гос. организации) -
Кол-во поверок (чвстники) -
Кол-во владельцев - 0
Все стандартные образцы МФТИ
| Номер в реестре | Наименование СО | Статус |
|---|---|---|
| ГСО 10038-2011 | СО СРЕДНЕГО РАЗМЕРА ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСТРУКТУРЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЙ СОНАЛ-II | Срок действия истек |
| ГСО 10037-2011 | СО СРЕДНЕГО РАЗМЕРА ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСТРУКТУРЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЙ СОНАЛ-I | Срок действия истек |
| ГСО 10036-2011 | СО ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ АМОРФНЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ СПАМ-100 | Срок действия истек |
| ГСО 10035-2011 | СО ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ АМОРФНЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ СПАМ-20 | Срок действия истек |
| ГСО 10034-2011 | СО СРЕДНЕГО РАЗМЕРА КРИСТАЛЛИТА В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЯХ ПОЛИП-50 | Срок действия истек |
| ГСО 10033-2011 | СО СРЕДНЕГО РАЗМЕРА КРИСТАЛЛИТА В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЯХ ПОЛИП-10 | Срок действия истек |
| ГСО 10032-2011 | СО ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ОСАГА-100 | Срок действия истек |
| ГСО 10031-2011 | СО ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ОСАГА-60 | Срок действия истек |
Владельцы ГСО 10032-2011 СО ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ОСАГА-100
| Организация | Кол-во поверок |
|---|
Приложение к свидетельству № 2399 об утверждении типа стандартных образцов
Лист № 1 всего листов 3
(обязательное)
-
- «Техническое задание на разработку стандартных образцов пространственных характеристик полупроводниковых гетероструктур ОСАГА-100», утвержденное 20.06.2011 г.;
-
- «Стандартные образцы пространственных характеристик полупроводниковых гетероструктур ОСАГА-100. Программа испытаний в целях утверждения типа», утвержденная 05.09.2011 г.
Периодичность актуализации технической документации на тип стандартного образца не реже одного раза в пять лет.
ФОРМА ВЫПУСКА: серийное производство периодически повторяющимися партиями.
НОМЕР ЭКЗЕМПЛЯРА (ПАРТИИ), ДАТА ВЫПУСКА:партия № 1, дата выпуска 25.08.2011 г.
НАЗНАЧЕНИЕ:Для аттестации методик измерений структурных параметров объектов и веществ, основанных на методах рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии, контроля погрешностей методик измерений в процессе их применения.
СФЕРА ПРИМЕНЕНИЯ:-
- область применения: микро-, наноэлектроника, нанотехнологии, производство СВЧ-транзисторов, светодиодов, солнечных батарей, оптоэлектронных элементов на основе лазеров с вертикальными резонаторами для оптических межсоединений, создание наноструктурированных материалов, оснащение органов государственных и метрологических служб.
-
- ГОСТ Р ИСО 5725-1-2002 - ГОСТ Р ИСО 5725-6-2002,
-
- «Инструкция по применению стандартных образцов пространственных характеристик полупроводниковых гетероструктур ОСАГА-100».
Приложение к свидетельству № 2399 Лист № 2 об утверждении типа стандартных образцов всего листов 3 (обязательное)
ОПИСАНИЕ:Стандартный образец представляет собой подложку из арсенида галлия с нанесенной на одну из сторон эпитаксиальной гетероструктурой, состоящей из слоев AlxGa1-xAs толщиной ~50 нм и GaAs толщиной ~50 нм. Общее число групп слоев - 12. На обратной стороне стандартного образца нанесена маркировка «ОСАГА-100», внутренний номер серии (для рекламаций производителю), номер партии и номер экземпляра внутри партии.
Габаритные размеры стандартного образца - 17,0x17,0x0,4 мм3 с допуском в каждом измерении не более 0,1 мм.
Стандартный образец помещен в герметичный контейнер со специальным клейким слоем Gel-Pack. На лицевой и оборотной стороне контейнера расположена этикетка.
НОРМИРОВАННЫЕ МЕТРОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:Аттестуемые характеристики:
-
1) средняя толщина слоев AlxGai-xAs в гетероструктуре, выраженная в нанометрах;
-
2) средняя толщина слоев GaAs в гетероструктуре, выраженная в нанометрах;
-
3) межслоевой период повторения слоев, выраженный в нанометрах.
Таблица 1 - Нормированные метрологические характеристики
|
№ п/п |
Наименование аттестуемой характеристики |
Единица измерения |
Диапазон допускаемых аттестованных значений |
Расширенная неопределенность при Р=0,95, (k=2) |
|
1 |
Средняя толщина слоя AlxGa1-xAs |
нм |
45^55 |
1,2 |
|
2 |
Средняя толщина слоя GaAs |
нм |
45^55 |
1,2 |
|
3 |
Межслоевой период повторения слоев |
нм |
90^110 |
2 |
Место и способ нанесения знака утверждения типа на сопроводительные документы стандартного образца: печатным способом в правом верхнем углу первого листа паспорта и этикетки стандартного образца утвержденного типа.
РАЗРАБОТЧИК: - Федеральное государственное автономное образовательное
учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» (МФТИ).
141700, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский переулок, 9.
Приложение к свидетельству № 2399 Лист № 3
об утверждении типа стандартных образцов всего листов 3
(обязательное)
|
ИЗГОТОВИТЕЛЬ: |
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» (МФТИ). 141700, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский переулок, 9. |
подпись расшифровка подписи
М.П. «___»______________2011 г.