Номер по Госреестру СИ: 76568-19
76568-19 Комплексы автоматизированные измерения, управления и защиты
(ABB Ability IndustrialIT)
Назначение средства измерений:
Комплексы автоматизированные измерения, управления и защиты ABB Ability Industrial11" (далее - комплексы) предназначены для измерительных преобразований сигналов силы и напряжения постоянного тока, сопротивления постоянного тока, частоты следования импульсов, сигналов от термопар и термопреобразователей сопротивления, а также для формирования управляющих аналоговых сигналов силы и напряжения постоянного тока.
Внешний вид.
Комплексы автоматизированные измерения, управления и защиты
Рисунок № 1
Программное обеспечение
Программное обеспечение (ПО) комплексов Ability IndustrialIT состоит из базового ПО и фирменного ПО.
Базовое ПО включает в себя пакет программного обеспечения сторонних производителей, содержащий операционную систему MS Windows, офисный пакет MS Office, а также драйверы устройств ПК.
Фирменное ПО включает в себя:
- пакет программных приложений Ability IndustrialIT;
- встроенное ПО модуля центрального процессора (PM7xx, PM8xx, PM9xx), включающее в себя ПО для микроконтроллеров интеллектуальных модулей устройства сопряжения с объектом (УСО).
Встроенное ПО модуля центрального процессора, влияющее на метрологические характеристики, устанавливается в энергонезависимую память модулей в процессе производства на заводе-изготовителе и в процессе эксплуатации изменению не подлежит Соответствует уровню защиты «средний» в соответствии с Р 50.2.077-2014.
Идентификационные данные ПО модулей приведены в таблице 1.
IT
Таблица 1 - Идентификационные данные ПО модулей комплексов Ability Industrial
Идентификационные данные |
Значение | |||
Идентификационное наименование ПО |
FW860 |
FW861 |
800 series TM firmware |
MCM800 firmware |
Номер версии (идентификационный номер) ПО, не ниже |
FW860- 499cbc4db5 |
FW861- 499cc005eb |
9A53301-v6.1 |
MCM800_51 |
Цифровой идентификатор ПО |
— |
Знак утверждения типа
Знак утверждения типананосится типографским способом на титульный лист руководства по эксплуатации.
Сведения о методиках измерений
Сведения о методиках (методах) измерений приведены в эксплуатационном документе
Нормативные и технические документы
Нормативные и технические документы, устанавливающие требования к комплексам автоматизированным измерения, управления и защиты ABB Ability IndustrialITГОСТ Р 52931-2008 Приборы контроля и регулирования технологических процессов. Общие технические условия
ГОСТ 8.009-84 ГСИ. Нормируемые метрологические характеристики средств измерений
Поверка
Поверкаосуществляется по документу МП 201-038-2019 «Комплексы автоматизированные измерения, управления и защиты IndustrialIT. Методика поверки», утвержденной
ФГУП «ВНИИМС» 19.07.2019 г.
Основные средства поверки:
Калибратор многофункциональный Fluke 5502E, регистрационный номер в Федеральном информационном фонде (далее по тексту — рег. №) № 52489-13;
Мультиметр цифровой прецизионный Fluke 8508А, рег. № 25984-14;
Генератор сигналов низкочастотный прецизионный ГЗ-122, рег. № 10237-85;
Калибратор многофункциональный и коммуникатор BEAMEX MC5-R, рег. № 52489-13;
Частотомер электронно-счетный Ч3-63/1, рег. № 25984-14.
Допускается применение аналогичных средств поверки, обеспечивающих определение метрологических характеристик поверяемых СИ с требуемой точностью.
Знак поверки наносится на свидетельство о поверке.
Изготовитель
Фирма ABB AB, Control Technologies, Швеция
Адрес: Tvarleden 2, 721 59 VASTERAS, Sweden
Заявитель
ООО «АББ»
Адрес: 117335, г. Москва, Нахимовский проспект, д. 58
Телефон: +7 (495) 777-22-20
Испытательный центр
Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научноисследовательский институт метрологической службы» (ФГУП «ВНИИМС»)
Адрес: 119361, г. Москва, ул. Озерная, д.46
Телефон: +7 (495) 437-55-77
Web-сайт: www.vniims.ru
E-mail: office@vniims.ru
Принцип действия комплексов основан на преобразовании сигналов от датчиков в цифровой код при помощи аналого-цифрового преобразователя (АЦП) и на преобразовании цифрового кода в воспроизводимую величину при помощи цифро-аналогового преобразователя
(ЦАП).
Комплекс конструктивно состоит из верхнего и нижнего уровней, связанных между собой посредством стандартных промышленных полевых шин и протоколов связи, таких, как RS-232C, Ethernet, PROFIBUS, FOUNDATION Fieldbus, HART, IEC 61850, PROFINET IO, в том числе через встроенные или внешние интерфейсы связи. Нижний уровень выполнен в виде шкафов, которые включают в себя коммутационное оборудование, измерительное оборудование выполненное на базе промышленных логических контроллеров фирмы ABB: AC 800M, AC 800F, AC 700F, AC 100, Advant/Master, Advant/MOD 300, DCI, Harmony/INFI90, Melody, Freelance и Safeguard с модулями ввода/вывода аналоговых сигналов серий S800, S700 и S900 (для взрывоопасных зон), с барьерами искробезопасности серии MTL5500 и MACX MCR и специализированных модулей системы управления турбиной (TP800, VP800, AS800 и MCM800), выполняющей функции противоразгонной защиты турбины, управления регулирующими клапанами, автоматической синхронизации генератора и мониторинга состояния механических величин системы.. Верхний уровень представлен техническими средствами сбора и обработки информации, выполнен на базе персонального компьютера, объединенные локальной вычислительной сетью. Модули ввода/вывода комплекса можно заменять при полной нагрузке комплекса.
Общий вид комплекса представлен на рисунке 1.
Шкафы комплекса имеют встроенный замок. Защита от несанкционированного доступа обеспечивается наличием ключей от шкафов.
,л.......
•Ь . .
Рисунок 1 - Общий вид комплекса
Метрологические характеристики приведены в таблицах 2, 3.
Таблица 2 - Метрологические характеристики модулей комплекса автоматизированного
IT
измерения, управления и защиты ABB Ability Industrial
Модуль |
Кол-во каналов |
Диапазон преобразований аналоговых сигналов/разрядность цифровых сигналов |
Пределы допускаемой основной погрешности Y - приведённая, % от верх. гр. диап. изм., ±; А - абсолютная, ± |
Пределы допускаемой доп. погрешности от изменения температуры окр. среды на 1°С Yдоп - приведённая, % от верх. гр. диап. изм., ±; Адоп - абсолютная, ± | |
на входе |
на выходе | ||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
Серия модулей ввода/вывода S800, S700 | |||||
AI801/ 3BSE020512R1 |
8 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,008 %/°С |
AI810/ 3BSE008516R1 |
8 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,008 %/°С |
от 0 до 10 В от 2 до 10 В |
Yдоп= 0,01 %/°С | ||||
AI815/ 3BSE052604R1 |
8 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
от 0 до 5 В от 1 до 5 В | |||||
AI820/ 3BSE008544R1 |
4 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА |
14 бит + знак |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
от 0 до 10 В от 2 до 10 В от 0 до 5 В от 1 до 5 В от -5 до +5 В от -10 до +10 В |
Yдоп= 0,007 %/°С | ||||
AI825/ 3BSE036456R1 |
4 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
14 бит + знак |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,0078 %/°С |
от -20 до +20 мА |
Yдоп= 0,0057 %/°С | ||||
от 0 до 10 В от 2 до 10 В |
Yдоп= 0,0047 %/°С | ||||
от -10 до +10 В |
Yдоп= 0,0034 %/°С |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
AI830A/ 3BSE040662R1 |
8 |
от 0 до 400 Ом |
14 бит |
Д = 0,083 Ом |
Ддоп= 0,004 °С |
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -80 до +80 °С от -200 до +250 °С от -200 до +850°С |
Д = 0,10 °С Д = 0,15 °С Д = 0,31 °С |
Ддоп= 0,0017 °С Ддоп= 0,0028 °С Ддоп= 0,007 °С | |||
Pt100 (а = 0,00391 °С-1) от -200 до +880 °С |
Д = 0,29 °С |
Ддоп= 0,007 °С | |||
Pt100 (а = 0,00392 °С-1) от -200 до +880 °С |
Д = 0,30 °С |
Ддоп= 0,007 °С | |||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -80 до +80 °С от -200 до +250 °С от -200 до +850 °С |
Д = 0,10 °С Д = 0,14 °С Д = 0,30 °С |
Ддоп= 0,0017 °С Ддоп= 0,0027 °С Ддоп= 0,007 °С | |||
Pt100 (а = 0,003916 °С-1) от -200 до +649 °С |
Д = 0,25 °С |
Ддоп= 0,0052 °С | |||
Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С |
Д = 0,10 °С |
Ддоп= 0,0021 °С | |||
Ni120 (а = 0,00617 °С-1) от -80 до +260 °С |
Д = 0,27 °С |
Ддоп= 0,0029 °С | |||
Cu10 (а = 0,00427 °С-1) от -100 до +260°С |
Д = 1,00 °С |
Ддоп= 0,024 °С |
AI835A/ 3BSE051306R1 |
8 |
от -30 до +75 мВ |
15 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоn= 0,0009 %/°С |
B: от 44 до 1820 °С |
Y = 0,15 % от IHrh | ||||
C: от 0 до 2300 °С |
Y = 0,1 % от Шии | ||||
D: от 0 до 2300 °С |
Y = 0,1 % от Шии | ||||
E: от -270 до +1000 °С |
Y = 0,1 % Шии от -270 до -200 °С; Д = 0,8 °С от -200 до +1000°С | ||||
J: от -210 до +1200 °С |
Д = 0,8°С | ||||
K: от -270 до +1372 °С |
Y = 0,1 % Шии от-270 до -200 °С; Д = 1,0 °С от -200 до +1372 °С | ||||
N: от -270 до +1300 °С |
Y = 0,05 % Ши1) от -270 до +120 °С; Д = 0,7 °С от 120 до 1300 °С | ||||
R: от -50 до +1768 °С |
Y = 0,1 % Ши1) от -50 до +400 °С; Д = 1,5 °С до 400 до 1768 °С | ||||
S: от -50 до +1768 °С |
Y = 0,1 % Ши1) от -50 до +400 °С; Д = 1,5 °С от 400 до 1768 °С | ||||
T: от -270 до +400 °С |
Y = 0,1 % Ши1) от -270 до -180 °С; Д = 0,7 °С от -180 до +400 °С | ||||
U: от -200 до +600 °С |
Д = 0,8 °С |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
AI843/ 3BSE051306R1 |
8 |
от -30 до +75 мВ |
15 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоn= 0,0025 %/°С |
B: от 44 до 1820 °С |
Y = 0,15 % 1) | ||||
C: от 0 до 2300 °С |
Y = 0,1 % 1) | ||||
D: от 0 до 2300 °С |
Y = 0,1 % 1) | ||||
E: от -270 до +1000 °С |
Y = 0,1 %1) от -270 до -200 °С; Д = 0,8 °С от -200 до +1000°С | ||||
J: от -210 до +1200 °С |
Д =0,8°С | ||||
K: от -270 до +1372 °С |
Y = 0,1 %1) от-270 до -200 °С; Д = 1,0 °С от -200 до +1372 °С | ||||
N: от -270 до +1300 °С |
Y = 0,05 %1) от -270 до +120 °С; Д = 0,7 °С от 120 до 1300 °С | ||||
R: от -50 до +1768 °С |
Y = 0,1 %1) от -50 до +400 °С; Д = 1,5 °С до 400 до 1768 °С | ||||
S: от -50 до +1768 °С |
Y = 0,1 %1) от -50 до +400 °С; Д = 1,5 °С от 400 до 1768 °С | ||||
T: от -270 до +400 °С |
Y = 0,1 %1) от -270 до -180 °С; Д = 0,7 °С от -180 до +400 °С | ||||
U: от -200 до +600 °С |
Д = 0,8 °С | ||||
AI845/ 3BSE023675R1 |
8 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от 0 до 5 В от 1 до 5 В |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
AI880(A)/ 3BSE039293R1 |
8 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
AI890/ 3BSC690071R1 |
8 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,01 %/°С |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
AI893/ 3BSC690141R1 |
8 |
от -10 до +25 мВ от -15 до +80 мВ |
15 бит + знак |
Д = 20 мкВ |
Ддоп= 2 мкВ/°С |
B: от 0 до 1820 °С C: от 0 до 2300 °С D: от 0 до 2300 °C E: от -270 до +1000 °С J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С L: от -100 до +900 °С N: от -270 до +1300 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С T: от -270 до +400 °С U: от -200 до +600 °С | |||||
от 0 до 400 Ом от 0 до 4000 Ом |
Д = 0,1 Ом Д = 1 Ом |
Ддоп= 0,01 Ом/°С Ддоп= 0,1 Ом/°С | |||
Pt50 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С-1 50П (а = 0,00391 °С-1) от -200 до +850°С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С-1 100П (а = 0,00391 °С-1) от -200 до +850°С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -40 до +100 °С Pt200 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С-1 100Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 200Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 500Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 10М (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200 °С-1 50М (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200 °С -1 100М (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С |
Д = 0,1 Ом |
Ддоп= 0,01 Ом/°С |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
AI895/ 3BSC690086R1 |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоn= 0,01 %/°С |
AI723F/ 3BDH000376R0005 |
16 |
от 0 до 10 В от -10 до +10 В |
12 бит + знак |
Y = 0,5 % |
Yдоп= 0,02 %/°С |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | |||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -1 Pt100 (а = 0,00385 °°С-1) от -50 до +70 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С 1000Н (а = 0,00617 °С-1) от -50 до +150 °С | |||||
AX721F/ 3BDH000370R0001 |
4 |
от -10 до +10 В |
12 бит + знак |
Y = 0,5 % |
Yдоп= 0,02 %/°С |
от 0 до 10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит | ||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °C до +400 °C-1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °C до +70 °C -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °C до +400 °C-1 Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °C до +150 °C | |||||
12 бит + знак |
от -10 до +10 В | ||||
12 бит |
от 0 до 10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | ||||
AX722F/ 3BDH000377R0005 |
8 |
от 0 до 10 В от -10 до +10 В |
12 бит + знак |
Y = 0,5 % |
Yдоп= 0,02 %/°С |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит | ||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +70 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С 1000Н (а = 0,00617 °С-1) от -50 до +150 °С | |||||
12 бит + знак |
от -10 до +10 В | ||||
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
AI731F/ 3BDH000385R0005 |
8 |
от -50 до +50 мВ от -500 до +500 мВ от -1 до +1 В от -5 до +5 В, от -10 до +10 В |
15 бит + знак |
Y = 0,5 % |
Yдоn= 0,02 %/°С |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА от 0 до 5 В от 0 до 10 В |
15 бит | ||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °C до +70 °C |
0,01 °C3) | ||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °C до +400 °C-1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 °C до +850 °C-1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °Сдо +400 °C Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °C до +150 °C-1 Cu50 (а = 0,00426 °С-1) от -50 до +200 °C -1 Cu50 (а = 0,00428 °С-1) от -200 до +200 °C |
0,1 °C3) | ||||
от 0 до 50 кОм |
15 бит | ||||
J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С N: от -270 до +1300 °С S:от -50 до +1768°С |
0,1 °C3) | ||||
AC722F/ 3BDH000369R0001 |
8 |
от -10 до +10 В |
12 бит + знак |
Y = 0,5 % |
Yдоп= 0,02 %/°С |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от 0 до 10 В |
12 бит | ||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +70 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С |
0,1 °C3) | ||||
Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °C до +150 °C |
0,1 °C3) | ||||
12 бит + знак |
от -10 до +10 В | ||||
12 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
от -10 до +10 В |
12 бит + знак | ||||
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
12 бит | ||||
DA701F/ 3BDH000371R0005 |
4 |
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +70 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -N1 i1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °C до +150 °C |
0,1 °C3) |
Y = 0,5 % |
Yдоп= 0,02 %/°С |
AO723F/ |
16 |
12 бит + знак |
от -10 до +10 В |
Y = 0,5 % |
Yдоп= 0,02 %/°С |
3BDH000384R0005 |
12 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | |||
AO801/ 3BSE020514R1 |
8 |
12 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,006 %/°С |
AO810V2/ 3BSE038415R1 |
8 |
14 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,006 %/°С |
AO815/ 3BSE052605R1 |
8 |
12 бит |
от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
AO820/ 3BSE008546R1 |
4 |
12 бит + знак |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА от 0 до 10 В от 2 до 10 В от -10 до +10 В |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,009 %/°С |
AO845A/ 3BSE045584R1 |
8 |
12 бит |
от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
AO890/ 3BSC690072R1 |
8 |
12 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,01 %/°С |
AO895/ 3BSC690087R1 |
8 |
12 бит |
от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,01 %/°С |
DP820/ 3BSE013228R1 |
2 |
Счет импульсов и измерение частоты: о т 0,25 Гц до 1,5 МГц |
28 бит + знак |
Y = 0,036 % (в рабочем диапазоне температур) | |
DP840/ 3BSE028926R1 |
8 |
Счет импульсов и измерение частоты: от 0,5 Гц до 20 кГц |
16 бит |
Y = 0,05 % (в рабочем диапазоне температур) |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
Серия модулей ввода/вывода S900 | |||||
AI910S/ 3KDE175511L9100 AI910B/ 3KDE175512L9100 AI910N/ 3KDE175513L9100 |
4 |
от 4 до 20 мА |
14 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоn= 0,005 %/°С |
AI930S/ 3KDE175511L9300 AI930B/ 3KDE175512L9300 AI930N/ 3KDE175513L9300 |
4 |
от 4 до 20 мА |
14 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
AI931S/ 3KDE175511L9310 AI931B/ 3KDE175512L9310 AI931N/ 3KDE175513L9310 |
4 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
14 бит |
Y = 0,1 % |
Yдоп= 0,005 %/°С |
AI950S/ 3KDE175521L9500 AI950B/ 3KDE175522L9500 AI950N/ 3KDE175523L9500 |
4 |
от 0 до 3 кОм |
16 бит |
Д = 80 мОм |
Yдоп= 0,005 %/°С |
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385°С-1) от -200 до +850 °С -1 100Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +250 °С | |||||
от -30 до +75 мВ |
Д = 0,01 мВ | ||||
B: от 44 до 1820 °С E: от -270 до +1000 °С J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С L: от -200 до +900 °С N: от -270 до +1300 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С T: от -270 до +400 °С U: от -200 до +600 °С |
Д = 0,2 °С |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
AO910S/ 3KDE175531L9100 AO910B/ 3KDE175532L9100 AO910N/ 3KDE175533L9100 |
4 |
13 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Ygon= 0,005 %/°С |
AO920S/ 3KDE175531L9200 AO920B/ 3KDE175532L9200 AO920N/ 3KDE175533L9200 |
13 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Ygon= 0,005 %/°С | |
AO930S/ 3KDE175531L9300 AO930B/ 3KDE175532L9300 AO930N/ 3KDE175533L9300 |
4 |
13 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Ygon= 0,005 %/°С |
DP910S/ 3KDE175361L9100 DP910B/ 3KDE175362L9100 DP910N/ 3KDE175363L9100 |
2 |
Счет импульсов и измерение частоты: о т 0 до 4 кГц от 0 до 1,25 кГц (с определением направления) |
29 бит + знак |
измерения 300мс
измерения 50мс | |
AIS810/ 3BSE078762R1 |
1 |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
16 бит |
Y = 0,1 % |
Ygon= 0,1 % от 0 до 60 °C; Удоп= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
AIS880/ 3BSE074053R1 |
1 |
от 4 до 20 мА |
16 бит |
Y = 0,1 % |
Y,qon= 0,1 % от 0 до 60 °C; Удоп= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
AOS810/ 3BSE078764R1 |
1 |
16 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдoп= 0,1 % от 0 до 60 °C; Удоп= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
AOS880/ 3BSE074055R1 |
1 |
16 бит |
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
Y = 0,1 % |
Yдoп= 0,1 % от 0 до 60 °C; Удоп= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности MTL5544 |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,175 % |
Yдоn= 0,009 %/°С |
3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX- SL-RPSSI-I(-SP) |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности MTL5573 |
8 |
от -75 до +75мВ |
12 бит |
Y = 0,15 % или Д = 0,015 мВ2) |
Yдоп= 0,011 %/°С |
J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С B: от 44 до 1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С | |||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Cu-50 (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200 °С -1 Си-53(а = 0,00426 °С-1) от -180 до +200 °С -1 Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 Ni500 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С | |||||
от 0 до 400 Ом | |||||
3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RTD-I(-SP)(- NC) |
8 |
от 0 до 2000 Ом |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-TC-I(-NC) |
8 |
от -20 до +70мВ; |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоn= 0,015 %/°С |
3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности MTL5541 |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,175 % |
Yдоп= 0,009 %/°С |
3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX- SL-RPSSI-I(-SP) |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности MTL5573 |
8 |
от -75 до +75мВ |
12 бит |
Y = 0,15 % или Д = 0,015 мВ2) |
Yдоп= 0,011 %/°С |
J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С B: от 44 до +1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С | |||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Cu-50 (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200 °С -1 Си-53(а = 0,00426 °С-1) от -180 до +200 °С -1 Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 Ni500 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С | |||||
от 0 до 400 Ом |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-T-UI-UP(-SP)(-C) |
8 |
от 0 до 50кОм от -1000 до +1000 мВ |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоn= 0,015 %/°С |
3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности MTL5541 |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,175 % |
Yдоп= 0,009 %/°С |
3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX- SL-RPSSI-I(-SP) |
8 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности MTL5573 |
8 |
от -75 до +75мВ |
12 бит |
Y = 0,15 % или Д = 0,015 мВ2) |
Yдоп= 0,011 %/°С |
J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С B: от 44 до +1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С | |||||
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Cu-50 (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200 °С -1 Си-53(а = 0,00426 °С-1) от -180 до +200 °С -1 Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 Ni500 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С -1 Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С | |||||
от 0 до 400 Ом |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RTD-I(-SP)(- NC) |
8 |
от 0 до 2000 Ом |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX- SL-TC-I(-NC) |
8 |
от -20 до +70мВ; |
12 бит |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
3BSE045584R1 с барьерами искробезопасности MTL5546 |
8 |
12 бит |
от 4 до 20 мА |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,01 %/°С |
3BSE045584R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-SL- IDSI-I(-SP) |
8 |
12 бит |
от 4 до 20 мА |
Y = 0,2 % |
Yдоп= 0,015 %/°С |
Модуль противоразгонной защиты турбины ТР800 | |||||
ТРМ810 |
2 |
от 0 до 12000 Гц от 0 до 120 В (переменного тока) |
16 бит |
от 0 до 4000 Гц Д = 0,1 Гц от 4000 до 12000 Гц Д = 0,25 Гц (в рабочем диапазоне температур) | |
от 4 до 20 мА от 1 до 5 В |
16 бит |
Y = 0,26 % (в рабочем диапазоне температур) | |||
Модуль управления регулирующими клапанами VP800 | |||||
VPM810 |
2 |
от 4 до 20 мА |
12 бит |
Y = 0,027 (в рабочем диапазоне температур) | |
12 бит |
от 4 до 20 мА |
Y = 0,049 % (в рабочем диапазоне температур) | |||
Модуль автосинхронизатора AS800 | |||||
ASM810 |
2 |
от 0 до 134 В от 40 до 70 Гц |
16 бит |
Y = 1,0 % Д = 0,01 Гц (в рабочем диапазоне температур) |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 6 |
Модуль измерения вибрации и механических величин MCM800 | ||||
TBU850 c MPM810 |
4 |
от -20 до +20 В (переменного тока) част.вращ. 1-30000 об/мин. част.диап.вибр. 0-15000 Гц |
16 бит |
Y = 0,25 % (в рабочем диапазоне температур) |
Примечания:
и с а = 0,00391 °С-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-200-91; а = 0,003916 °С-1 с НСХ согласно документу JIS C1604-81; а = 0,00392 °С-1 с НСХ согласно документу US Lab Std IPTS-68. -1 Поддерживаются медные термопреобразователи сопротивления с а = 0,00426 °С-1 и с а = 0,00428 °С-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009; а = 0,00427 °С-1 с НСХ согласно документу MINCO. Поддерживаются никелевые термопреобразователи сопротивления с а = 0,00617 °С-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009. |
Таблица 3 - Основные технические характеристики модулей комплекса
Наименование характеристики |
Значение |
Напряжение питания модулей, В |
от 19,2 до 30 |
Потребляемая мощность модулей, Вт, не более |
6,0 |
Габаритные размеры модулей, мм, не более:
|
119 45 102 (с учетом разъема 111) |
Масса модулей, г, не более: |
180 |
Условия эксплуатации:
|
от +5 до +55 от 5 до 95 без конденсата от 74,8 до 110,4 |
Нормальные условия:
|
от +23 до +27 от 5 до 95 без конденсата от 74,8 до 110,4 |