Наименование характеристики

Модификации

ZS-HLDS2T

ZS-HLDS2VT

ZS-HLDS5T

Расстояние до центра зоны измерений (L), ^мм*:                        _**

- при диффузном отражении^**

5,2

-

50

- при зеркальном отражении

20

25

44

Диапазон измерений линейных перемещений относительно центра зоны измерений, мм:

- при диффузном отражении

±1

-

±5

- при зеркальном отражении

±1

±2

±4

Пределы допускаемой основной приведенной погрешности измерений,%, при температуре (20±2)°С:

- при диффузном отражении

±0,05

±0,1

- при зеркальном отражении

±0,05

±0,2

±0,1

Тип источника излучения:

Лазер полупроводниковый

Длина волны источника излучения, нм

650

Мощность источника излучения, мВт, не более:

1

Класс опасности лазерного излучения по

ГОСТ Р 50723-94:

2

Условия эксплуатации: -диапазон рабочих температур, °С -относительная влажность, %

от 0 до 50

от 35 до 85

Пределы допускаемой дополнительной приведенной погрешности измерений линейных перемещений, %, на 1°С:

±0,01

Угол позиционирования датчика (а),° относительно горизонтального положения^****: - при диффузном отражении

25

-

0

- при зеркальном отражении

0

0

15

Питание контроллера:

-напряжение питания постоянного тока, В - потребляемый ток, А, не более:

24

0,5

Г абаритные размеры (длина ^х высота ^х ширина), мм, не более:

-датчик линейных перемещений

65^х65^х26,4

65х65х35

80х100х22,7

-контроллер и блок памяти

60х90х52,5

Наименование характеристики

Модификации

ZS-HLDS2T   ZS-HLDS2VT

ZS-HLDS5T

Масса, кг, не более:

-датчик линейных перемещений -контроллер и блок памяти

0,6

0,8

0,28

Наименование характеристики

Модификации

ZS-HLDS10

ZS-HLDS60

ZS-HLDS150

Расстояние до центра зоны измерений (L), ^мм*:                           _**

- при диффузном отражении^**

100

600

1500

- при зеркальном отражении

94

_-

_-

Диапазон измерений линейных перемещений относительно центра зоны измерений, мм:

- при диффузном отражении

±20

±350

±500

- при зеркальном отражении

±16

_-

_-

Пределы допускаемой основной приведенной погрешности измерений,%, при температуре (20±2)°С:

- при диффузном отражении

±0,1

±0,1

±0,2

- при зеркальном отражении

±0,1

_-

_-

Тип источника излучения

Лазе

р полупроводниковый

Длина волны источника излучения, нм

650

658

Мощность источника излучения, мВт, не более:

1

Класс опасности лазерного излучения по

ГОСТ Р 50723-94:

2

Условия эксплуатации: -диапазон рабочих температур, °С -относительная влажность, %

от 0 до 50 от 35 до 85

Пределы допускаемой дополнительной приведенной погрешности измерений линейных перемещений, %, на 1°С:

±0,01

Угол позиционирования датчика (а),° относительно горизонтального положения^****: - при диффузном отражении

0

0

0

- при зеркальном отражении

12,5

-

-

Наименование характеристики

Модификации

ZS-HLDS10

ZS-HLDS60

ZS-HLDS150

Питание контроллера:

-напряжение питания постоянного тока, В

24

- потребляемый ток, А, не более:

0,5

Г абаритные размеры (длина ^х высота ^х ширина), мм, не более:

-датчик линейных перемещений

80x100x22,7

75х120х22,7

-контроллер и блок памяти

60х90х52,5

Масса, кг, не более:

-датчик линейных перемещений

0,6

0,8

-контроллер и блок памяти

0,28

Наименование характеристики

Модификации

ZS-LD20T

ZS-LD20ST

ZS-LD40T

Расстояние до центра зоны измерений (L), мм : - при диффузном отражении^**

6,3

6,3

30

- при зеркальном отражении

20

20

40

Диапазон измерений линейных перемещений относительно центра зоны измерений, мм:

- при диффузном отражении

±1

±1

±2

- при зеркальном отражении

±1

±1

±2,5

Пределы допускаемой основной приведенной погрешности измерений,%, при температуре (20±2)°С:

• - при диффузном отражении

• - при зеркальном отражении

±0,1

±0,1

±0,1

±0,1

±0,1

±0,1

Тип источника излучения:

Лазер полупроводниковый

Длина волны источника излучения, нм:

650

Мощность источника излучения, мВт, не более:

1

Класс опасности лазерного излучения по ГОСТ Р 50723-94:

2

Условия эксплуатации: -диапазон рабочих температур, °С -относительная влажность, %

от 0 до 50

от 35 до 85

Пределы допускаемой дополнительной приведенной погрешности измерений линейных перемещений, %, на 1°С:

±0,04

±0,04

±0,02

Наименование характеристики

Модификации

ZS-LD20T

ZS-LD20ST

ZS-LD40T

Угол позиционирования датчика (а),° относительно горизонтального положения ^****:

- при диффузном отражении

22,5

22,5

16

- при зеркальном отражении

0

0

0

Питание контроллера:

-напряжение питания постоянного тока, В

24

- потребляемый ток, А, не более:

0,5

Г абаритные размеры (длина ^х высота ^х ширина), мм, не более:

-датчик линейных перемещений

65x65x35

-контроллер и блок памяти

60x90x52,5

Масса, кг, не более:

-датчик линейных перемещений

0,35

-контроллер и блок памяти

0,28

Наименование характеристики

Модификации

ZS-LD10GT

ZS-LD15GT

ZS-LD50

ZS-LD50S

Расстояние до центра зоны

измерений (L), мм^*:

- при диффузном отражении^**

-

-

50

50

- при зеркальном отражении

20

20

47

47

Диапазон измерений линейных перемещений относительно центра зоны измерений, мм:

- при диффузном отражении

±5

±5

- при зеркальном отражении

±0,5

±0,75

±4

±4

Пределы допускаемой основной

приведенной погрешности измерений,%, при температуре (20±2)°С:

- при диффузном отражении

±0,1

±0,1

- при зеркальном отражении

±0,1

±0,1

±0,1

±0,1

Тип источника излучения

Лазер полупроводниковый

Длина волны источника излучения, нм:

650

Наименование характеристики

Модификации

ZS-LD10GT

ZS-LD15GT

ZS-LD50

ZS-LD50S

Мощность источника излучения, мВт, не более:

1

Класс опасности лазерного излучения по ГОСТ Р 50723-94:

2

Условия эксплуатации: -диапазон рабочих температур, °С -относительная влажность, %

от 0 до 50

от 35 до 85

Пределы допускаемой дополнительной приведенной погрешности измерений линейных перемещений, %, на 1°С:

±0,04

±0,04

±0,02

±0,02

Угол позиционирования датчика

(а),° относительно горизонтального

**** положения    :

- при диффузном отражении

0

0

- при зеркальном отражении

0

0

12,5

12,5

Питание контроллера:

-напряжение питания постоянного тока, В

- потребляемый ток, А, не более:

24

0,5

Г абаритные размеры (длина ^х высота ^х ширина), мм, не более: -датчик линейных перемещений

105^х85^х36

115х84х40

65х65х35

-контроллер и блок памяти

60х90х52,5

Масса, кг, не более:

-датчик линейных перемещений

0,4

0,35

-контроллер и блок памяти

0,28

Наименование характеристики

Модификации

ZS-LD80

ZS-LD130

ZS-LD200

ZS-LD350S

Расстояние до центра зоны измерений (L), мм^*:

-при диффузном отражении^**

80

130

200

350

-при зеркальном отражении

78

130

200

-

Наименование характеристики

Модификации

ZS-LD80

ZS-LD130

ZS-LD200

ZS-LD350S

Диапазон измерений линейных перемещений относительно центра зоны измерений, мм:

При диффузном отражении

±15

±15

±50

±135

При зеркальном отражении

±14

±12

±48

_-

Пределы допускаемой основной приведенной погрешности измерений,%, при температуре (20±2)°С:

При диффузном отражении

±0,1

±0,1

±0,1

±0,04

При зеркальном отражении

±0,1

±0,25

±0,25

_-

Тип источника излучения:

Лазер полупроводниковый

Длина волны источника излучения, нм:

650

Мощность источника излучения, мВт, не более:

1

Класс опасности лазерного излучения по

ГОСТ Р 50723-94:

2

Условия эксплуатации: -диапазон рабочих температур, °С -относительная влажность, %

от 0 до 50

от 35 до 85

Пределы допускаемой дополнительной приведенной погрешности измерения линейных размеров, %, на 1°С:

±0,01

±0,02

±0,02

±0,04

Угол позиционирования датчика (а),° относительно горизонтального

**

положения :

- при диффузном отражении

0

0

0

0

- при зеркальном отражении

7,5

6

4

2,5

Питание контроллера:

-напряжение питания постоянного тока, В

- потребляемый ток, А, не более:

24

0,5

Г абаритные размеры (длина ^х высота ^х ширина), мм, не более:

-датчик линейных перемещений -контроллер и блок памяти

65x65x35

60x90x52,5

Масса, кг, не более:

-датчик линейных перемещений -контроллер и блок памяти

0,35

0,28