Номер в гос. реестре

76568-19

Наименование типа СИ (обозначение)

Комплексы автоматизированные измерения, управления и защиты (ABB Ability IndustrialIT)

Назначение средства измерений

Модификация

нет модификации

Описание типа

2019-76568-19.pdf

Тип производства

Заводской номер

SG211100AB, SG211100A0

Год производства (возраст, лет)

Год производства не указан

Производитель

Фирма "ABB AB, Control Technologies"
Страна - ШВЕЦИЯ

Модуль

Кол-во каналов

Диапазон преобразований аналоговых сигналов/разрядность цифровых сигналов

Пределы допускаемой основной погрешности Y - приведённая, % от верх. гр. диап. изм., ±;

А - абсолютная, ±

Пределы допускаемой доп. погрешности от изменения температуры окр. среды на 1°С Y_доп - приведённая, % от верх. гр. диап. изм., ±;

А_доп - абсолютная, ±

на входе

на выходе

1

2

3

4

5

6

Серия модулей ввода/вывода S800, S700

AI801/

3BSE020512R1

8

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,008 %/°С

AI810/

3BSE008516R1

8

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,008 %/°С

от 0 до 10 В от 2 до 10 В

Yдоп= 0,01 %/°С

AI815/

3BSE052604R1

8

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

от 0 до 5 В от 1 до 5 В

AI820/

3BSE008544R1

4

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА

14 бит

+ знак

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

от 0 до 10 В от 2 до 10 В от 0 до 5 В от 1 до 5 В от -5 до +5 В от -10 до +10 В

Yдоп= 0,007 %/°С

AI825/

3BSE036456R1

4

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

14 бит

+ знак

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,0078 %/°С

от -20 до +20 мА

Yдоп= 0,0057 %/°С

от 0 до 10 В от 2 до 10 В

Yдоп= 0,0047 %/°С

от -10 до +10 В

Yдоп= 0,0034 %/°С

1

2

3

4

5

6

AI830A/

3BSE040662R1

8

от 0 до 400 Ом

14 бит

Д = 0,083 Ом

Ддоп= 0,004 °С

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -80 до +80 °С от -200 до +250 °С от -200 до +850°С

Д = 0,10 °С

Д = 0,15 °С

Д = 0,31 °С

Ддоп= 0,0017 °С

Ддоп= 0,0028 °С

Ддоп= 0,007 °С

Pt100 (а = 0,00391 °С^-1) от -200 до +880 °С

Д = 0,29 °С

Ддоп= 0,007 °С

Pt100 (а = 0,00392 °С^-1) от -200 до +880 °С

Д = 0,30 °С

Ддоп= 0,007 °С

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -80 до +80 °С от -200 до +250 °С от -200 до +850 °С

Д = 0,10 °С

Д = 0,14 °С

Д = 0,30 °С

Ддоп= 0,0017 °С

Ддоп= 0,0027 °С

Ддоп= 0,007 °С

Pt100 (а = 0,003916 °С^-1) от -200 до +649 °С

Д = 0,25 °С

Ддоп= 0,0052 °С

Ni100 (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С

Д = 0,10 °С

Ддоп= 0,0021 °С

Ni120 (а = 0,00617 °С^-1) от -80 до +260 °С

Д = 0,27 °С

Ддоп= 0,0029 °С

Cu10 (а = 0,00427 °С^-1) от -100 до +260°С

Д = 1,00 °С

Ддоп= 0,024 °С

AI835A/

3BSE051306R1

8

от -30 до +75 мВ

15 бит

Y = 0,1 %

Yдоn= 0,0009 %/°С

B: от 44 до 1820 °С

Y = 0,15 % от IH_r^h

C: от 0 до 2300 °С

Y = 0,1 % от Ши^и

D: от 0 до 2300 °С

Y = 0,1 % от Ши^и

E: от -270 до +1000 °С

Y = 0,1 % Ши^и от -270 до -200 °С;

Д = 0,8 °С от -200 до +1000°С

J: от -210 до +1200 °С

Д = 0,8°С

K: от -270 до +1372 °С

Y = 0,1 % Ши^и от-270 до -200 °С;

Д = 1,0 °С от -200 до +1372 °С

N: от -270 до +1300 °С

Y = 0,05 % Ши¹⁾ от -270 до +120 °С;

Д = 0,7 °С

от 120 до 1300 °С

R: от -50 до +1768 °С

Y = 0,1 % Ши¹⁾ от -50 до +400 °С;

Д = 1,5 °С до 400 до 1768 °С

S: от -50 до +1768 °С

Y = 0,1 % Ши¹⁾ от -50 до +400 °С;

Д = 1,5 °С от 400 до 1768 °С

T: от -270 до +400 °С

Y = 0,1 % Ши¹⁾ от -270 до -180 °С;

Д = 0,7 °С от -180 до +400 °С

U: от -200 до +600 °С

Д = 0,8 °С

1

2

3

4

5

6

AI843/

3BSE051306R1

8

от -30 до +75 мВ

15 бит

Y = 0,1 %

Yдоn= 0,0025 %/°С

B: от 44 до 1820 °С

Y = 0,15 % ¹⁾

C: от 0 до 2300 °С

Y = 0,1 % ¹⁾

D: от 0 до 2300 °С

Y = 0,1 % ¹⁾

E: от -270 до +1000 °С

Y = 0,1 %¹⁾ от -270 до -200 °С;

Д = 0,8 °С от -200 до +1000°С

J: от -210 до +1200 °С

Д =0,8°С

K: от -270 до +1372 °С

Y = 0,1 %¹⁾ от-270 до -200 °С;

Д = 1,0 °С от -200 до +1372 °С

N: от -270 до +1300 °С

Y = 0,05 %¹⁾ от -270 до +120 °С;

Д = 0,7 °С от 120 до 1300 °С

R: от -50 до +1768 °С

Y = 0,1 %¹⁾ от -50 до +400 °С;

Д = 1,5 °С до 400 до 1768 °С

S: от -50 до +1768 °С

Y = 0,1 %¹⁾ от -50 до +400 °С;

Д = 1,5 °С от 400 до 1768 °С

T: от -270 до +400 °С

Y = 0,1 %¹⁾ от -270 до -180 °С;

Д = 0,7 °С от -180 до +400 °С

U: от -200 до +600 °С

Д = 0,8 °С

AI845/

3BSE023675R1

8

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от 0 до 5 В от 1 до 5 В

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

AI880(A)/

3BSE039293R1

8

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

AI890/

3BSC690071R1

8

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,01 %/°С

1

2

3

4

5

6

AI893/

3BSC690141R1

8

от -10 до +25 мВ от -15 до +80 мВ

15 бит

+

знак

Д = 20 мкВ

Ддоп= 2 мкВ/°С

B: от 0 до 1820 °С C: от 0 до 2300 °С D: от 0 до 2300 °C E: от -270 до +1000 °С J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С L: от -100 до +900 °С N: от -270 до +1300 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С T: от -270 до +400 °С U: от -200 до +600 °С

от 0 до 400 Ом от 0 до 4000 Ом

Д = 0,1 Ом Д = 1 Ом

Ддоп= 0,01 Ом/°С

Д_доп= 0,1 Ом/°С

Pt50 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С_-1

50П (а = 0,00391 °С^-1) от -200 до +850°С _-1

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С_-1

100П (а = 0,00391 °С^-1) от -200 до +850°С _-1

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -40 до +100 °С

Pt200 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt500 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С_-1

100Н (а = 0,00617 °С^-1) ^{от -60 до +180 °С} _-1

200Н (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С _-1

500Н (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С _-1 10М (а = 0,00428 °С^-1) от -180 до +200 °С_-1 50М (а = 0,00428 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

100М (а = 0,00428 °С^-1) от -180 до +200°С

Д = 0,1 Ом

Ддоп= 0,01 Ом/°С

1

2

3

4

5

6

AI895/

3BSC690086R1

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,1 %

Yдоn= 0,01 %/°С

AI723F/

3BDH000376R0005

16

от 0 до 10 В от -10 до +10 В

12 бит + знак

Y = 0,5 %

Yдоп= 0,02 %/°С

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 до +400 °С _-1

Pt100 (а = 0,00385 °°С^-1) ^{от -50 до +70 °С} _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 до +400 °С 1000Н (а = 0,00617 °С^-1) от -50 до +150 °С

AX721F/

3BDH000370R0001

4

от -10 до +10 В

12 бит + знак

Y = 0,5 %

Yдоп= 0,02 %/°С

от 0 до 10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 °C до +400 °C_-1

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 °C до +70 °C _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 °C до +400 °C_-1

Ni1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -50 °C до +150 °C

12 бит + знак

от -10 до +10 В

12 бит

от 0 до 10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

AX722F/

3BDH000377R0005

8

от 0 до 10 В от -10 до +10 В

12 бит + знак

Y = 0,5 %

Yдоп= 0,02 %/°С

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 до +400 °С _-1

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) ^{от -50 до +70 °С} _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 до +400 °С

1000Н (а = 0,00617 °С^-1) от -50 до +150 °С

12 бит + знак

от -10 до +10 В

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

1

2

3

4

5

6

AI731F/

3BDH000385R0005

8

от -50 до +50 мВ

от -500 до +500 мВ от -1 до +1 В от -5 до +5 В, от -10 до +10 В

15 бит + знак

Y = 0,5 %

Yдоn= 0,02 %/°С

от 0 до 20 мА

от 4 до 20 мА

от -20 до +20 мА от 0 до 5 В от 0 до 10 В

15 бит

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 °C до +70 °C

0,01 °C³⁾

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 °C до +400 °C_-1

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 °C до +850 °C_-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 °Сдо +400 °C

Ni1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -50 °C до +150 °C_-1

Cu50 (а = 0,00426 °С^-1) от -50 до +200 °C _-1

Cu50 (а = 0,00428 °С^-1) от -200 до +200 °C

0,1 °C³⁾

от 0 до 50 кОм

15 бит

J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С

T: от -270 до +400 °С N: от -270 до +1300 °С

S:от -50 до +1768°С

0,1 °C³⁾

AC722F/

3BDH000369R0001

8

от -10 до +10 В

12 бит + знак

Y = 0,5 %

Yдоп= 0,02 %/°С

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от 0 до 10 В

12 бит

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 до +400 °С _-1

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) ^{от -50 до +70 °С} _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -50 до +400 °С

0,1 °C³⁾

Ni1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -50 °C до +150 °C

0,1 °C³⁾

12 бит + знак

от -10 до +10 В

12 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

1

2

3

4

5

6

от -10 до +10 В

12 бит + знак

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

12 бит

DA701F/

3BDH000371R0005

4

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1)

^{от -50 до +70 °С} _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1)

от -50 до +400 °С _-N₁ i1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -50 °C до +150 °C

0,1 °C³⁾

Y = 0,5 %

Yдоп= 0,02 %/°С

AO723F/

16

12 бит + знак

от -10 до +10 В

Y = 0,5 %

Yдоп= 0,02 %/°С

3BDH000384R0005

12 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

AO801/

3BSE020514R1

8

12 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,006 %/°С

AO810V2/

3BSE038415R1

8

14 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,006 %/°С

AO815/

3BSE052605R1

8

12 бит

от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

AO820/

3BSE008546R1

4

12 бит + знак

от 0 до 20 мА

от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА от 0 до 10 В от 2 до 10 В от -10 до +10 В

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,009 %/°С

AO845A/

3BSE045584R1

8

12 бит

от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

AO890/

3BSC690072R1

8

12 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,01 %/°С

AO895/

3BSC690087R1

8

12 бит

от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,01 %/°С

DP820/

3BSE013228R1

2

Счет импульсов и измерение частоты: о т 0,25 Гц до 1,5 МГц

28 бит + знак

Y = 0,036 %

(в рабочем диапазоне температур)

DP840/

3BSE028926R1

8

Счет импульсов и измерение частоты: от 0,5 Гц до 20 кГц

16 бит

Y = 0,05 %

(в рабочем диапазоне температур)

1

2

3

4

5

6

Серия модулей ввода/вывода S900

AI910S/

3KDE175511L9100

AI910B/

3KDE175512L9100

AI910N/

3KDE175513L9100

4

от 4 до 20 мА

14 бит

Y = 0,1 %

Yдоn= 0,005 %/°С

AI930S/

3KDE175511L9300

AI930B/ 3KDE175512L9300

AI930N/

3KDE175513L9300

4

от 4 до 20 мА

14 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

AI931S/

3KDE175511L9310

AI931B/ 3KDE175512L9310

AI931N/

3KDE175513L9310

4

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

14 бит

Y = 0,1 %

Yдоп= 0,005 %/°С

AI950S/

3KDE175521L9500

AI950B/

3KDE175522L9500

AI950N/

3KDE175523L9500

4

от 0 до 3 кОм

16 бит

Д = 80 мОм

Yдоп= 0,005 %/°С

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt1000 (а = 0,00385°С^-1) от -200 до +850 °С _-1

100Н (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +250 °С

от -30 до +75 мВ

Д = 0,01 мВ

B: от 44 до 1820 °С E: от -270 до +1000 °С J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С L: от -200 до +900 °С N: от -270 до +1300 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С T: от -270 до +400 °С U: от -200 до +600 °С

Д = 0,2 °С

1

2

3

4

5

6

AO910S/

3KDE175531L9100

AO910B/

3KDE175532L9100

AO910N/

3KDE175533L9100

4

13 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Ygon= 0,005 %/°С

AO920S/

3KDE175531L9200

AO920B/ 3KDE175532L9200

AO920N/

3KDE175533L9200

13 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Ygon= 0,005 %/°С

AO930S/

3KDE175531L9300

AO930B/

3KDE175532L9300

AO930N/

3KDE175533L9300

4

13 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Ygon= 0,005 %/°С

DP910S/

3KDE175361L9100

DP910B/

3KDE175362L9100

DP910N/

3KDE175363L9100

2

Счет импульсов и измерение частоты: о т 0 до 4 кГц от 0 до 1,25 кГц (с определением направления)

29 бит + знак

• Y = 0,1 % для интервала

измерения 300мс

• Y = 1,0 % для интервала

измерения 50мс

AIS810/

3BSE078762R1

1

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

16 бит

Y = 0,1 %

Ygon= 0,1 % от 0 до 60 °C;

Удоп= ^0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C

AIS880/

3BSE074053R1

1

от 4 до 20 мА

16 бит

Y = 0,1 %

Y,qon= 0,1 % от 0 до 60 °C;

Удоп= ^0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C

AOS810/

3BSE078764R1

1

16 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдoп= 0,1 % от 0 до 60 °C;

Удоп= ^0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C

AOS880/

3BSE074055R1

1

16 бит

от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА

Y = 0,1 %

Yдoп= 0,1 % от 0 до 60 °C;

Удоп= ^0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C

1

2

3

4

5

6

3BSE052604R1 с

барьерами искробезопасности

MTL5544

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,175 %

Yдоn= 0,009 %/°С

3BSE052604R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-

SL-RPSSI-I(-SP)

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

3BSE052604R1 с

барьерами искробезопасности

MTL5573

8

от -75 до +75мВ

12 бит

Y = 0,15 % или

Д = 0,015 мВ²⁾

Yдоп= 0,011 %/°С

J: от -210 до +1200 °С

K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С B: от 44 до 1820 °С

N: от -270 до +1300 °С

L (ХК): от -200 до +800 °С

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt500 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Cu-50 (а = 0,00428 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

Си-53(а = 0,00426 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

Ni100 (а = 0,00617 °С^-1) ^{от -60 до +180 °С} _-1

Ni500 (а = 0,00617 °С^-1) ^{от -60 до +180 °С} _-1

Ni1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С

от 0 до 400 Ом

3BSE052604R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RTD-I(-SP)(-

NC)

8

от 0 до 2000 Ом

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

1

2

3

4

5

6

3BSE052604R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-TC-I(-NC)

8

от -20 до +70мВ;

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоn= 0,015 %/°С

3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности

MTL5541

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,175 %

Yдоп= 0,009 %/°С

3BSE023675R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-

SL-RPSSI-I(-SP)

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности MTL5573

8

от -75 до +75мВ

12 бит

Y = 0,15 % или

Д = 0,015 мВ²⁾

Yдоп= 0,011 %/°С

J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С B: от 44 до +1820 °С

N: от -270 до +1300 °С

L (ХК): от -200 до +800 °С

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt500 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Cu-50 (а = 0,00428 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

Си-53(а = 0,00426 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

Ni100 (а = 0,00617 °С^-1) ^{от -60 до +180 °С} _-1

Ni500 (а = 0,00617 °С^-1) ^{от -60 до +180 °С} _-1

Ni1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С

от 0 до 400 Ом

1

2

3

4

5

6

3BSE023675R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-T-UI-UP(-SP)(-C)

8

от 0 до 50кОм

от -1000 до +1000 мВ

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоn= 0,015 %/°С

3BSE039293R1 с

барьерами искробезопасности

MTL5541

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,175 %

Yдоп= 0,009 %/°С

3BSE039293R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-

SL-RPSSI-I(-SP)

8

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

3BSE039293R1 с

барьерами искробезопасности

MTL5573

8

от -75 до +75мВ

12 бит

Y = 0,15 % или

Д = 0,015 мВ²⁾

Yдоп= 0,011 %/°С

J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С B: от 44 до +1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С

Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt500 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Pt1000 (а = 0,00385 °С^-1) от -200 до +850 °С _-1

Cu-50 (а = 0,00428 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

Си-53(а = 0,00426 °С^-1) от -180 до +200 °С _-1

Ni100 (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С _-1

Ni500 (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С _-1

Ni1000 (а = 0,00617 °С^-1) от -60 до +180 °С

от 0 до 400 Ом

1

2

3

4

5

6

3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RTD-I(-SP)(-

NC)

8

от 0 до 2000 Ом

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

3BSE039293R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-

SL-TC-I(-NC)

8

от -20 до +70мВ;

12 бит

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

3BSE045584R1 с

барьерами искробезопасности

MTL5546

8

12 бит

от 4 до 20 мА

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,01 %/°С

3BSE045584R1 с

барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-SL-

IDSI-I(-SP)

8

12 бит

от 4 до 20 мА

Y = 0,2 %

Yдоп= 0,015 %/°С

Модуль противоразгонной защиты турбины ТР800

ТРМ810

2

от 0 до 12000 Гц от 0 до 120 В (переменного тока)

16 бит

от 0 до 4000 Гц Д = 0,1 Гц от 4000 до 12000 Гц Д = 0,25 Гц (в рабочем диапазоне температур)

от 4 до 20 мА от 1 до 5 В

16 бит

Y = 0,26 % (в рабочем диапазоне температур)

Модуль управления регулирующими клапанами VP800

VPM810

2

от 4 до 20 мА

12 бит

Y = 0,027 (в рабочем диапазоне температур)

12 бит

от 4 до 20 мА

Y = 0,049 % (в рабочем диапазоне температур)

Модуль автосинхронизатора AS800

ASM810

2

от 0 до 134 В от 40 до 70 Гц

16 бит

Y = 1,0 %

Д = 0,01 Гц

(в рабочем диапазоне температур)

1

2

3

4

5             6

Модуль измерения вибрации и механических величин MCM800

TBU850 c

MPM810

4

от -20 до +20 В (переменного тока) част.вращ. 1-30000 об/мин. част.диап.вибр. 0-15000 Гц

16 бит

Y = 0,25 % (в рабочем диапазоне температур)

Примечания:

• 1   Ш_и — ширина диапазона измерения в милливольтах выбранной термопары.

• 2   За основную погрешность принимают большее из этих двух значений.

• 3   Еденица наименьшего разряда цифровой индикации.

• 4   Модули дискретного ввода/вывода, процессорные модули, терминальные блоки, блоки питания, входящие в состав комплексов, не являются измерительными компонентами и не требуют утверждения типа.

• 5   Для модулей AI835, AI843, AI893, AI950 значение допускаемой основной абсолютной погрешности и температурного коэффициента указаны с учетом погрешности канала компенсации температуры холодного спая (без термочувствительного элемента). В качестве термочувствительного элемента должен применяться термопреобразователь сопротивления Pt100 (а = 0,00385 °С^-1) с диапазоном измерений от минус 40 до 100 °С, погрешность, вносимая которым должна арифметически суммироваться с погрешностью канала измерения сигналов термопар.

• 6   Модули AI815, AI845, AI880A, AO815, AO845, AI895, AO895, AI930, AI931, AO930 могут поддерживать передачу данных по HART протоколу.

• 7   Поддерживаются термопары B, E, K, N, T, J, R, L(XK) и S с номинальными статистическими характеристиками (НСХ) согласно документу ГОСТ Р 8.585-2001; типа D с НСХ согласно документу ASTM E988; типа C с НСХ согласно документу МЭК 605841:2013; типа L и U с НСХ согласно документу DIN 43710.

• 8   Поддерживаются платиновые термопреобразователи сопротивления с а = 0,00385 °С^-1

и с а = 0,00391 °С^-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-200_-9₁; а = 0,003916 °С^-1 с НСХ согласно документу JIS C1604-81; а = 0,00392 °С^-1 с НСХ согласно документу US Lab Std IPTS-68.                                                   _-1

Поддерживаются медные термопреобразователи сопротивления с а = 0,00426 °С^-1 и с а = 0,00428 °С^-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009; а = 0,00427 °С^-1 с НСХ согласно документу MINCO.

Поддерживаются никелевые термопреобразователи сопротивления с а = 0,00617 °С^-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009.

Наименование характеристики

Значение

Напряжение питания модулей, В

от 19,2 до 30

Потребляемая мощность модулей, Вт, не более

6,0

Габаритные размеры модулей, мм, не более:

• - высота

• - ширина

• - длина

119

45

102 (с учетом разъема 111)

Масса модулей, г, не более:

180

Условия эксплуатации:

• - температуры окружающей среды, °С

• - относительная влажность, %

• - атмосферное давление, кПа

от +5 до +55

от 5 до 95 без конденсата от 74,8 до 110,4

Нормальные условия:

• - температуры окружающей среды, °С

• - относительная влажность, %

• - атмосферное давление, кПа

от +23 до +27 от 5 до 95 без конденсата от 74,8 до 110,4