Номер в гос. реестре

47072-11

Наименование типа СИ (обозначение)

Генераторы-синтезаторы сигналов прямоугольной формы с модулями приемников-формирователей (CG635 (генераторы); CG640, CG641, CG642, CG643, CG644, CG645, CG646, CG647, CG648, CG649 (модули))

Назначение средства измерений

Модификация

CG635

Описание типа

2011-47072-11.pdf

Тип производства

Заводской номер

002180

Год производства (возраст, лет)

Год производства не указан

Производитель

Фирма "Stanford Research Systems, Inc."
Страна - СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ

диапазон частот

от 0,001 Гц до 2,05 ГГц

разрешение по частоте

на частотах до 10 кГц

на частотах от 10 кГц до 2,05 ГГц

140'¹² Гц

16 разрядов

параметры опорного генератора

пределы допускаемой относительной погрешности частоты опорного генератора 6₀ при температуре 25 ± 5 ^оС стандартное исполнение

опция 02 (повышенная стабильность) опция 03 (рубидиевый генератор)

н- н- н-

U1

ООО н- оо

о

пределы допускаемого относительного дрейфа частоты опорного генератора 6_А за 1 год стандартное исполнение

опция 02 (повышенная стабильность) опция 03 (рубидиевый генератор)

± 540'⁶

± 240'⁷

± 540'¹⁰

пределы допускаемой относительной погрешности частоты сигнала

± (240'¹⁹ + 60 + N-бд), N -к-во лет с даты выпуска

параметры выхода синхронизации (синусоидальный сигнал) частота сигнала

уровень сигнала

выходное сопротивление

10 МГц

0,5 В СКЗ

50 Ом

параметры входа синхронизации (синусоидальный сигнал) частота сигнала

уровень сигнала

входное сопротивление

10 МГц ± 100 Гц от 0,2 до 0,7 В СКЗ

1 кОм

параметры импульсов на выходах Q+, Q-

частота сигнала

высокий уровень сигнала

амплитуда сигнала

разрешение по уровню сигнала

пределы допускаемой абсолютной погрешности уровня сигнала U постоянного тока

длительность фронта и среза по уровням 20/80 %, не более выходной импеданс (работа на согласованную нагрузку 50 Ом)

0; от 0,001 Гц до 2,05 ГГц от - 2 до + 5 В

от 0,2 до 1 В

10 мВ

± (0,01-U + 10 мВ)

100 пс

50 Ом

параметры импульсов на выходе CMOS

частота сигнала

низкий уровень сигнала амплитуда сигнала на высокоомной нагрузке разрешение по уровню сигнала

0; от 0,001 Гц до 250 МГц от - 1 до + 1 В

от 0,5 до 6 В

10 мВ

пределы допускаемой абсолютной погрешности уровня сигнала U постоянного тока

длительность фронта и среза по уровням 10/90 % на частотах до 100 МГц, не более

выходной импеданс (работа на высокоомную нагрузку)

± (0,02^/U + 20 мВ)

1,0 нс

50 Ом

параметры импульсов на выходе RS-485

частота сигнала

номинальное значение низкого уровня сигнала номинальное значение высокого уровня сигнала длительность фронта и среза по уровням 20/80 %, не более

0; от 0,001 Гц до 105 МГц

+ 0,9 В

+ 2,2 В

0,8 нс

выходной импеданс

100 Ом

параметры импульсов на выходе LVDS

частота сигнала

номинальное значение низкого уровня сигнала номинальное значение высокого уровня сигнала длительность фронта и среза по уровням 20/80 %, не более выходной импеданс

0; от 0,001 Гц до 2,05 ГГц

+ 0,96 В

+ 1,34 В

100 пс

100 Ом

параметры импульсов на выходе PRBS (опция 01)

частота сигнала

номинальное значение низкого уровня сигнала номинальное значение высокого уровня сигнала длина псевдослучайной битовой последовательности длительность фронта и среза по уровням 20/80 %, не более выходной импеданс

0; от 0,001 Гц до 1,55 ГГц

+ 0,96 В

+ 1,34 В

2⁷ - 1

100 пс

50 Ом

общие параметры сигналов

диапазон регулировки фазы сигнала разрешение регулировки фазы сигнала

± 720 °

± 20 пс

диапазон модуляции положения фронта импульсов внешним напряжением

коэффициент преобразования

относительная погрешность коэффициента преобразования, не более

± 5 нс

1 нс/В

±5%

джиттер частотой от 1 кГц до 5 МГ ц (СКЗ), типовое значение, не более

1 ПС

уровень фазовых шумов относительно уровня сигнала на несущей частоте 622 МГц, типовые значения, не более при отстройке 100 Гц

при отстройке 1 и 10 кГц

при отстройке 100 кГц

- 90 дБ/Гц

• - 100 дБ/Гц

• - 110 дБ/Гц

тип соединителей выходы Q+, Q-, CMOS выходы RS-485, LVDS выход PRBS (опция 01) входы и выходы синхронизации, вход модуляции

BNC RJ-45 SMA

BNC

параметры питания от сети переменного тока

напряжение

от 175 до 264 В

частота

от 47 до 63 Гц

потребляемая мощность, не более

80 ВА

технические характеристики модулей приемников-формирователей

обозна

чение

уровни напряжения

входной импеданс

выходной импеданс

длительность фронта и среза импульсов (10/90 %)

верхняя граничная частота

CG640

CMOS 0; + 5 В

50 Ом

High-Z

< 2 нс

105 МГц

CG641

CMOS 0; + 3,3 В

50 Ом

High-Z

< 0,8 нс

250 МГц

CG642

CG643

CG644

CMOS 0; + 2,5 В

PECL0; + 5 В ресео; з.з в..........

50 Ом

50 Ом

50 Ом

High-Z High-Z 50 Ом

< 0,8 нс

250 МГц

250 МГц

2.05 ГГц

< 0,8 нс

< 100 пс

CG645

PECL 0; + 2,5 В

50 Ом

50 Ом

< 100 пс

2,05 ГГц

CG646

±0,5 В

50 Ом

50 Ом

< 100 пс

2,05 ГГц

CG647

CML/NIM

50 Ом

50 Ом

< 100 пс

2,05 ГГц

CG648

NEGECL

50 Ом

50 Ом

< 100 пс

2,05 ГГц

CG649

LVDS

50 Ом

50 Ом

< 100 пс

2,05 ГГц

тип соединителей

вход

выходы Q+, Q-

RJ-45

SMA

массогабаритные характеристики

основной блок CG635 габаритные размеры, мм масса, не более

330 х 216 х 89

4,1 кг

модули приемников-формирователей импульсов CG64x габаритные размеры, мм

масса, не более

76 х 41 х 25

320 г

рабочие условия эксплуатации

температура окружающей среды относительная влажность воздуха при температуре 25 ^оС

от 0 до + 55 ^оС до 90 %

условия транспортирования и хранения температура окружающей среды относительная влажность воздуха при температуре 25 ^оС

от - 40 до + 70 °C до 95 %

электромагнитная совместимость

по ГОСТ Р 51522-99

безопасность

по ГОСТ Р 51350-99 (МЭК

61010-1:90)