Номер по Госреестру СИ: 49265-12
49265-12 Модуль эталонный трехкомпонентный магнитометрический
(ЭТМ ГВАТ. 411172.008)
Назначение средства измерений:
Модуль эталонный трехкомпонентный магнитометрический ЭТМ ГВАТ.411172.008 (далее ЭТМ) предназначен для измерения трех компонент вектора индукции постоянного магнитного поля с преобразованием их в постоянные напряжения и одной компоненты индукции переменного магнитного поля с частотой 50 Гц.
Внешний вид.
Модуль эталонный трехкомпонентный магнитометрический
Рисунок № 1
Знак утверждения типа
Знак утверждения типаЗнак утверждения типа наносится на панель блока электронного ЭТМ с помощью штампа и титульный лист формуляра типографским способом .
Сведения о методиках измерений
Нормативные и технические документы
Нормативные и технические документы, устанавливающие требования к Модулю эталонному трехкомпонентному магнитометрическому ЭТМ ГВАТ411172.008:
-
1. ГОСТ 22261-94. Средства измерений электрических и магнитных величин. Общие технические условия.
-
2. ГОСТ 8.030-91. ГСИ. Государственный первичный эталон и государственная поверочная схема для средств измерений магнитной индукции постоянного поля в диапазоне 1-10" 12—540-2 Тл, постоянного магнитного потока, магнитной индукции и магнитного момента в интервале частот 0—20000 Гц.
-
3. Технические условия ГВАТ.411172.004 ТУ.
Изготовитель
Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научнопроизводственный центр научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»).
603137, г. Нижний Новгород, ул. Тропинина, д. 47.
603950, г. Нижний Новгород, ГСП — 486.
Тел. (831) 465-49-90, факс (831) 466-87-52, 466-67-69.
Е-mail: niiis@niiis.nnov.ru.
Испытательный центр
ГЦИ СИ ФГУП «ВНИИМ им. Д.И. Менделеева»
Регистрационный номер 30001-10
190005, г. Санкт-Петербург, Московский проспект, д.19
Тел.: (812) 251-54-86, факс: (812) 713-01-14
Е-mail: info@vniim.ru
Модуль эталонный трехкомпонентный магнитометрический построен на основе датчика феррозондового трехкомпонентного (далее — ДФТ) по схеме с компенсацией компонент индукции магнитного поля в сердечнике датчика. ДФТ включает в себя ленточный сердечник из магнитомягкого сплава на цилиндрическом каркасе, катушку подмагничивания вокруг сердечника и три компонентные катушки, намотанные на каркас датчика взаимно ортогонально. Схема подмагничивания обеспечивает оптимальный режим работы датчика с выходом на второй гармонике частоты подмагничивания (около 200 кГц). Частота сигналов стабилизирована пьезоэлектрическим резонатором. Синхронный детектор выполнен по симметричной схеме на малошумящих полевых транзисторах и работает на удвоенной частоте подмагничивания. Усилитель компенсации содержит три канала, имеющих коэффициент усиления около 1000, что обеспечивает коэффициент компенсации магнитного поля в сердечнике датчика не менее 97 %. Согласующие цепи предназначены для защиты выходов БЭ от замыканий в цепях нагрузки и обеспечивает чувствительность по выходам Х1, Y1 и Z1, соответствующую диапазону ± 200 мкТл.
Фотография внешнего внешнего вида ЭТМ приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 Внешний вид ЭТМ
Для недопущения несанкционированного доступа к элементам регулировки на крышке блока электронного ЭТМ предусмотрено место для пломбирования.
Наименование |
Обозначение |
Кол. |
Примечание |
датчик ЭТМ |
ГВАТ.411172.009 |
1 | |
блок электронный ЭТМ |
ГВАТ.468381.004 |
1 | |
жгут |
ГВАТ.685621.357 |
1 |
ГВАТ.411172.008РЭ, |
Ведомость эксплуатационных документов |
ГВАТ. 411172.008ВЭ |
1 |
ГВАТ.411172.008ФО, ГВАТ.411172.008МП |
1. Количество измерительных каналов |
3 |
2. Диапазон измерений значений компонент X, Y, Z магнитной индукции постоянного магнитного поля, мкТл |
±200 |
3. Коэффициенты преобразования индукции постоянного магнитного поля по выходам X1, Y1, Z1, мВ/мкТл |
50 |
4. Пределы допускаемой приведенной погрешности измерений индукции постоянного магнитного поля в диапазоне от минус 200 до плюс 200 мкТл, % |
±0,1 |
5. Напряжение смещения нуля на выходах X1, Y1, Z1 через 15 мин от момента включения, мВ, не более |
± 1 |
6. Неортогональность между магнитными осями компонент X и Y, градус |
± 1 |
7. Неортогональность между магнитными осями компоненты Z и каждой из компонент X и Y, градус |
± 1,5 |
8. Коэффициент преобразования индукции переменного магнитного поля с частотой 50 Гц с амплитудой до 20 мкТл по выходу Z1, мВ/мкТл |
50 |
9. Пределы допускаемой приведенной погрешности измерений индукции пере менного магнитного поля с частотой 50 Гц по выходу Z1 с амплитудой до 20 мкТл, % |
±2 |
10. Ток потребления при напряжении питания ±(15,0±0,5) В, А, не более |
0,2 |
11. Габаритные размеры (ДхШхВ) блока электронного ЭТМ, мм, не более |
180х180х55 |
12. Габаритные размеры (ДхШхВ) измерительного датчика ЭТМ, мм, не более |
3 5х3 5х60 |
13. Масса блока электронного ЭТМ, кг, не более |
1 |
14. Масса измерительного датчика ЭТМ, кг, не более |
0,2 |
15. Условия эксплуатации:
|
от +20 до +35 до 80 |
16. Среднее время наработки на отказ, ч |
5000 |